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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD225HTL120C7S, Module IGBT, 6 en un seul emballage, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD225HTL120C7S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 225A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie SPT+ IGBT avec faible VCE(sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • RBSOA carrée
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Alimentation sans interruption Y

L'IGBT -Invertisseur t C = 25 à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

GD225HTL120C7S

Unités

V. Le groupe Le CES

Tension Collecteur-Émetteur @ T j = 25

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 100

400

225

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

450

Une

P tout

Dissipation totale de puissance @ T j = 175

1973

Le

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte

tension

Je C =9.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

6.2

7.0

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.90

2.35

V. Le groupe

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.10

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V

2.3

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

168

N.S.

t r

Il est temps de monter.

75

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

440

N.S.

t F

Temps d'automne

55

N.S.

E. Je suis désolé. sur

Commutateur d'activation

Perte de

27.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

37.2

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, r g =5.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

176

N.S.

t r

Il est temps de monter.

75

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

510

N.S.

t F

Temps d'automne

75

N.S.

E. Je suis désolé. sur

Commutateur d'activation

Perte de

13.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

22.5

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

16.6

NF

C oes

Capacité de sortie

1.20

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.78

NF

Je SC

Données SC

t s C 10μs,V Généralement générés 15 V, t j = 125 ,V CC =600V, V. Le groupe MEC Les autres

1050

Une

r Le gint

Résistance de porte interne Valeurs

1.0

Oh

Diode -Invertisseur t C = 25 à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

GD225HTL120C7S

Unités

V. Le groupe RRM

Tension Collecteur-Émetteur @ T j = 25

1200

V. Le groupe

Je F

Courant Direct de Polarisation @ T C = 80

225

Une

Je MFN

Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P =1ms

450

Une

Valeurs caractéristiques

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =225A, V. Le groupe Généralement générés =0V

t j = 25

1.80

2.20

V. Le groupe

t j = 125

1.85

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600 V,

Je F =225A,

r g =5.0Ω,

V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V

t j = 25

30

Le taux de décharge

t j = 125

57

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

195

Une

t j = 125

255

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

10.8

Je suis désolé.

t j = 125

22.5

Électrique Caractéristiques de NTC t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de r 100

t C = 100,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

dissipation de puissance

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25exp[B 25 à 50% 1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

k

Module IGBT

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC + EE

Résistance de connexion du module, terminal au chip @ T C = 25

1.1

M Oh

r θ JC

Jonction à boîtier (par IG BT)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.076

0.154

Pour les produits de base

r θ CS

Boîtier-à-Dissipateur (Graisse conductrice appliqué)

0.005

Pour les produits de base

t jmax

Température maximale de jonction

175

t GST

Plage de température de stockage

-40

125

Montage

Couple

Vis de terminal d'alimentation:M5

3.0

6.0

N.m.

Montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

Poids

Poids de Module

910

g

Le schéma

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