GD200MLT120C2S, 3-niveaux, Module IGBT, STARPOWER

GD200MLT120C2S,3-niveaux ,Module IGBT,STARPOWER

1200V 200A, 3-niveaux

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD200MLT120C2S

Introduction brève

Module IGBT , 3-niveaux ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Applications Typiques

L'IGBT t 1 T2 T3 T4 t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole	Description	GD200MLT120C2S	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25 ℃	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte @ T j = 25 ℃	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	360 200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1 MS	400	Une
P tout	Dissipation de puissance totale @ T j = 175 ℃	1163	Le

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =8.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.00		V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃		248		N.S.
t r	Il est temps de monter.			88		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			540		N.S.
t F	Temps d'automne			131		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			9.85		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			22.8		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g =3.6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125℃		298		N.S.
t r	Il est temps de monter.			99		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			645		N.S.
t F	Temps d'automne			178		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			15.1		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			34.9		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		14.4		NF
C oes	Capacité de sortie			0.75		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.65		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, V. Le groupe Généralement générés =-15 ﹍+15V		1.90		Le taux de décharge
r Le gint	Résistance de porte interne			3.8		Oh
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		800		Une

Diode d 1 D2 D3 D4 t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole	Description	GD200MLT120C2S	Unités
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive @ T j = 25 ℃	1200	V. Le groupe
Je F	Courant continu T C = 8 0℃	200	Une
Je MFN	Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P =1ms	400	Une

Valeurs caractéristiques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A	t j = 25 ℃		1.65	2.10	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A	t j = 125 ℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	Je F =200A, V. Le groupe r =600V, r g =3.6Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		20.0		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Charge récupérée		t j = 125 ℃		26.1		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		151		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		190		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		9.20		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		17.1		Je suis désolé.

Diode d 5 D6 t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole	Description	GD200MLT120C2S	Unités
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive @ T j = 25 ℃	1200	V. Le groupe
Je F	Courant continu T C = 8 0℃	200	Une
Je MFN	Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P =1ms	400	Une

Valeurs caractéristiques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A, V. Le groupe Généralement générés =0V	t j = 25 ℃		1.65	2.10	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A, V. Le groupe Généralement générés =0V	t j = 125 ℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	Je F =200A, V. Le groupe r =600V, r g =3.6Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		20.0		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Charge récupérée		t j = 125 ℃		26.1		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		151		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		190		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		9.20		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		17.1		Je suis désolé.

Module IGBT

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500			V. Le groupe
r θ JC	Jonction-étui (par IGBT T1 T2 T3 T4) Jonction-étui (par diode D1 D2 D3 D4) Jonction-étui (par diode D5 D6)			0.129 0.237 0.232	Pour les produits de base
r θ CS	Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)		0.035		Pour les produits de base
t jmax	Température maximale de jonction			175	℃
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40		150
t GST	Température de stockage Autonomie	-40		125	℃
Montage Couple	Écrou de borne de puissance:M6 Vis de montage:M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
Poids	Poids Module		340		g