GD200HFT120C2S_T4,Module IGBT,STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD200HFT120C2S_T4,Module IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD200HFT120C2S_T4

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faible perte de commutation
Capacité de court-circuit de 10 μs
Cas à faible inductance
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Invertisseurs pour moteur
Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
Onduleur

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	GD200HFT120C2S_T4	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	320 200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1 MS	400	Une
Je F	Diode à dérive continue le loyer	200	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75℃	1103	Le
t jmax	Température maximale de jonction	175	℃
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	℃
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V. Le groupe
Montage Couple	Écrou de borne de puissance:M6 Vis de montage:M6	2,5 à 5.0 3.0 à 5.0	N.m.

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =7.6 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	5.2	5.8	6.4	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.75	2.20	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.05		V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g =2.4Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃		162		N.S.
t r	Il est temps de monter.			39		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			451		N.S.
t F	Temps d'automne			98		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			10.1		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			13.9		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =200A, r g =2.4Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 ℃		171		N.S.
t r	Il est temps de monter.			45		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			522		N.S.
t F	Temps d'automne			160		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			15.2		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			20.0		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		12.3		NF
C oes	Capacité de sortie			0.81		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.69		NF
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		800		Une
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15 ﹍+15V		1.81		Le taux de décharge
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			3.8		Oh
L CE	Inductivité de déplacement				20	NH
r CC+EE	Conducteur de module Résistance, Terminal au chip			0.35		mΩ

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A V. Le groupe Généralement générés =0V	t j = 25 ℃		1.65	2.10	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A V. Le groupe Généralement générés =0V	t j = 125 ℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Récupéré charge	Je F =200A, V. Le groupe r =600V, r g = 2,4Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		20.1		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Récupéré charge		t j = 125 ℃		32.0		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		232		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		248		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		9.00		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		17.6		Je suis désolé.

Caractéristique thermique ics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		0.136	Pour les produits de base
r θ JC	Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)		0.202	Pour les produits de base
r θ CS	Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)	0.035		Pour les produits de base
Poids	Poids Module	300		g