GD200HFK60C8SN, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD200HFK60C8SN,Module IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD200HFK60C8SN

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT NPT
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Robuste avec des performances ultra rapides
RBSOA carrée
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Machine à souder électrique
ALIM
UPS

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	GD200HFK60C8SN	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	600	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	283 200	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1 MS	400	Une
Je F	Diode à dérive continue le loyer	200	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j =1 50℃	714	Le
t jmax	Température maximale de jonction	150	℃
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +125	℃
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe
Montage Couple	Vis de terminal d'alimentation:M5 Vis de fixation : M5	2,5 à 3.5 2,5 à 3.5	N.m.
Poids	Poids de Module	200	g

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	600			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			1.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =500μA, V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	3.5	4.5	5.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.80	2.25	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.10		V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 300 V,I C =200A, r g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃		320		N.S.
t r	Il est temps de monter.			123		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			318		N.S.
t F	Temps d'automne			90		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			2.79		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			5.08		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 300 V,I C =200A, r g =6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 ℃		339		N.S.
t r	Il est temps de monter.			125		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			344		N.S.
t F	Temps d'automne			113		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			3.00		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			6.95		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 30V, f=1MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		16.9		NF
C oes	Capacité de sortie			0.88		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.42		NF
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃, V. Le groupe CC = 360 V, V. Le groupe MEC ≤ 600 V		1800		Une
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe CC =400V,I C =200A, V. Le groupe Généralement générés =15V		0.72		Le taux de décharge
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			2.35		Oh
L CE	Inductivité de déplacement				22	NH
r CC+EE	Conducteur de module Résistance, Terminal au chip			0.65		mΩ

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A	t j = 25 ℃		1.33	1.78	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =200A	t j = 125 ℃		1.30		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Récupéré charge	Je F =200A, V. Le groupe r =300V, r g =6,8Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		9.3		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Récupéré charge		t j = 125 ℃		13.2		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		112		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		125		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		2.09		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		3.22		Je suis désolé.

Caractéristique thermique ics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		0.175	Pour les produits de base
r θ JC	Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)		0.317	Pour les produits de base