1200V 1600A
Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 1600A.
Caractéristiques
Faible V. Le groupe CE (sat) Technologie IGBT SPT+
10 μs Capacité de court-circuit
V. Le groupe CE (sat) avec coefficient de température positif
Faible inductance Cas
Rapide & récupération inverse douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
Inverseur de courant alternatif Conduites
Alimentation à mode de commutation fournitures
Soudeurs électroniques
Rating absolu maximum t C = 25 ℃ à moins que ce ne soit le cas - Je suis désolé.
Le symbole | Description | Les données de référence doivent être fournies par le fabricant. | Unités |
V. Le groupe Le CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 2500 | Une |
1600 | |||
Je CM(1) | Courant collecteur pulsé t P = 1 ms | 3200 | Une |
Je F | Diode à courant continu vers l'avant | 1600 | Une |
Je FM | Le diode est équipé d'un système de décharge de courant | 3200 | Une |
P d | Puissance maximale t j = 150 ℃ | 8.3 | KW |
t SC | Courtoisie résiste au temps @ T j = 125 ℃ | 10 | μs |
t j | Température maximale de jonction | 150 | ℃ |
t GST | Plage de température de stockage | - 40 à +125 | ℃ |
Je 2valeur t, diode | V. Le groupe r =0V,t=10ms,T j = 125 ℃ | 300 | kA 2s |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V. Le groupe |
Montage Couple | Terminal de puissance Vis:M4 Terminal de puissance Vis:M8 | 1.8 à 2.1 8.0 à 10 | N.m. |
Montage Pour les appareils de type à moteur | 4.25 à 5.75 | N.m. |
Caractéristiques électriques du L'IGBT t C = 25 ℃ à moins d'indication contraire
Caractéristiques hors
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
Le BV Le CES | Collecteur-Émetteur Tension de rupture | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe RG (ème) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C =64mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V. Le groupe |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C =1600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ |
| 1.8 |
|
V. Le groupe |
Je C =1600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ |
| 2.0 |
|
Character changeant l'éducation
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
Q: Le numéro Généralement générés | Charge de la porte | V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V |
| 16.8 |
| Le taux de décharge |
t d(on) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 1600A, r g =0.82Ω, V. Le groupe Généralement générés =± 15V,T j = 25 ℃ |
| 225 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 105 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 1100 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 100 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Perte de changement |
| 148 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Perte de commutation à l'arrêt |
| 186 |
| Je suis désolé. | |
t d(on) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 1600A, r g =0.82Ω, V. Le groupe Généralement générés =± 15V,T j = 125 ℃ |
| 235 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 105 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 1160 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 105 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Perte de changement |
| 206 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Perte de commutation à l'arrêt |
| 239 |
| Je suis désolé. | |
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 119 |
| NF |
C oes | Capacité de sortie |
| 8.32 |
| NF | |
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 5.44 |
| NF | |
Je SC |
Données SC | t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ , V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres |
|
7000 |
|
Une |
r Le gint | Résistance de porte interne Valeurs |
|
| 0.1 |
| Oh |
L CE | Inductivité de déplacement |
|
| 12 |
| NH |
r CC + EE ’ | Module de résistance au plomb nce, Terminal au chip | t C = 25 ℃ |
| 0.19 |
| M Oh |
Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F =1600A | t j = 25 ℃ |
| 2.1 |
| V. Le groupe |
t j = 125 ℃ |
| 2.2 |
| ||||
Q: Le numéro r | Charge récupérée |
Je F = 1600A, V. Le groupe r =600V, di/dt=-7500A/μs, V. Le groupe Généralement générés =-15V | t j = 25 ℃ |
| 73 |
| Le taux de décharge |
t j = 125 ℃ |
| 175 |
| ||||
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération | t j = 25 ℃ |
| 510 |
| Une | |
t j = 125 ℃ |
| 790 |
| ||||
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie | t j = 25 ℃ |
| 17 |
| Je suis désolé. | |
t j = 125 ℃ |
| 46 |
| ||||
Caractéristiques thermiques
Le symbole | Paramètre | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
r θJC | Les éléments de connexion à l'enveloppe (IGBT, par Module) |
| 15 | K/kW |
r θJC | Jonction-à-Boîtier (Partie Diode, par M (voir le tableau ci-dessous) |
| 26 | K/kW |
r θCS | Casse à évier (Graisse conductrice appliquée, pe R module) | 6 |
| K/kW |
Poids | Poids de Module | 1500 |
| g |
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