GD1200HFT120C3S, module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD1200HFT120C3S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 1200A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD1200HFT120C3S

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 1200A.

Caractéristiques

Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT Technologie
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Cuivre isolé plaque de base en utilisant dBc Technologie

Applications Typiques

Variateurs de courant alternatif
Énergie ininterrompue
Éoliennes

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	GD1200HFT120C3S	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	1800	Une
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	1200	Une
Je cm (1)	Courant collecteur pulsé t P = 1 ms	2400	Une
Je F	Diode à courant continu vers l'avant	1200	Une
Je FM	Diode à courbe avant maximale le loyer	2400	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 150℃	5.2	KW
t j	Température maximale de jonction	150	℃
t GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V. Le groupe
Montage	Terminal de signal Vis:M4 Terminal de puissance Vis:M8	1.8 à 2.1 8.0 à 10	N.m.
Couple	Montage Pour les appareils de type à moteur	4.25 à 5.75

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 48 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125℃		2.00	2.45	V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		11.5		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =1200A, r Gon = 2,4Ω, r Goff =0.82Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 25 ℃		600		N.S.
t r	Il est temps de monter.			230		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			820		N.S.
t F	Temps d'automne			150		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			/		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Perte de commutation à l'arrêt			/		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =1200A, r Gon = 2,4Ω, r Goff =0.82Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 125℃		660		N.S.
t r	Il est temps de monter.			220		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			960		N.S.
t F	Temps d'automne			180		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			246		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Perte de commutation à l'arrêt			191		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		86.1		NF
C oes	Capacité de sortie			4.50		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			3.90		NF
Je SC	Données SC	t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ ,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres		4800		Une
L CE	Inductivité de déplacement			20		NH
r CC + EE ’	Résistance de conduite du module e, Terminal au chip	t C = 25 ℃		0.18		M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 1200A	t j = 25 ℃		1.65	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 1200A	t j = 125℃		1.65	2.15	V. Le groupe
Q: Le numéro r	Diode à l'envers Frais de recouvrement	Je F = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; V. Le groupe r =600V, r Gon = 2,4Ω, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V	t j = 25 ℃		69		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Diode à l'envers Frais de recouvrement		t j = 125℃		129		Le taux de décharge
Je RM	Pôle de diode Récupération Actuel		t j = 25 ℃		485		Une
Je RM	Pôle de diode Récupération Actuel		t j = 125℃		623		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		32		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125℃		60		Je suis désolé.

Caractéristique thermique ics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		24	K/kW
r θ JC	Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi		43	K/kW
r θ CS	Casse à évier (Graisse conductrice appliquée, par Module)	6		K/kW
Poids	Poids de Module	1500		g