Module IGBT, 1200V et 1200A
Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 1200A.
Caractéristiques
Typique Applications
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Description | GD1200HFL120C3S | Unités |
V. Le groupe Le CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 1900 1200 | Une |
Je cm | Courant collecteur pulsé t P =1 MS | 2400 | Une |
Je F | Diode à dérive continue le loyer | 1200 | Une |
Je FM | Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms | 2400 | Une |
P d | Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75℃ | 6.41 | KW |
t jmax | Température maximale de jonction | 175 | ℃ |
t le jouet | Température maximale de jonction | -40 à +150 | ℃ |
t GST | Température de stockage Autonomie | -40 à +125 | ℃ |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V. Le groupe |
M | Le couple de connexion du terminal, Vire M4 | 1.8 à 2.1 |
|
Le couple de connexion du terminal, Vire M8 | 8.0 à 10 | N.m. | |
Le couple de montage Vire M6 | 4.25 à 5.75 |
| |
g | Poids de Module | 1500 | g |
Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Caractéristiques hors
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe (BR )Le CES | Collecteur-Émetteur Tension de rupture | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe Généralement générés (Le ) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C =48.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃ | 5.4 |
| 7.4 | V. Le groupe |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ |
| 1.95 | 2.40 |
V. Le groupe |
Je C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ |
| 2.10 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15 V,T j = 25 ℃ |
| 200 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 135 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 1050 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 130 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 136 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 160 |
| Je suis désolé. | |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15 V,T j = 125℃ |
| 220 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 190 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 1150 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 140 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 184 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 208 |
| Je suis désolé. | |
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée | V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 84.8 |
| NF |
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 3.76 |
| NF | |
Je SC | Données SC | t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V |
| 4500 |
| Une |
r Le gint | Résistance à la porte interne ance |
|
| 2.7 |
| Oh |
L CE | Inductivité de déplacement |
|
| 20 |
| NH |
r CC+EE | Conducteur de module Résistance, Terminal au chip |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F = 1200A | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.20 | V. Le groupe |
t j = 125 ℃ |
| 1.75 |
| ||||
Q: Le numéro r | Récupéré charge | Je F = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W; V. Le groupe r =600V, r Gon =2. 1Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V | t j = 25 ℃ |
| 400 |
| Le taux de décharge |
t j = 125 ℃ |
| 680 |
| ||||
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération | t j = 25 ℃ |
| 1400 |
| Une | |
t j = 125 ℃ |
| 1840 |
| ||||
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie | t j = 25 ℃ |
| 160 |
| Je suis désolé. | |
t j = 125 ℃ |
| 296 |
| ||||
Caractéristique thermique ics
Le symbole | Paramètre | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
r θ JC | Les points de jonction (par IGB) T) |
| 23.4 | K/kW |
r θ JC | Les points de contact entre les deux cas (par D) iode) |
| 46.1 | K/kW |
r θ CS | Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite) | 6 |
| K/kW |
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