Module IGBT 1200V

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 30

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

630

400

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

800

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

2083

Le

Le symbole

Description

valeur

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

400

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

800

Une

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

t GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C

1.95

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C = 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C

5.0

5.7

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

t j = 25 o C

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

r Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 30V, f=1MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

39.6

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.20

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =15V

2.40

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C

408

N.S.

t r

Il est temps de monter.

119

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

573

N.S.

t F

Temps d'automne

135

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

10.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

36.2

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C

409

N.S.

t r

Il est temps de monter.

120

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

632

N.S.

t F

Temps d'automne

188

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

13.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

53.6

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 150o C

410

N.S.

t r

Il est temps de monter.

123

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

638

N.S.

t F

Temps d'automne

198

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

14.4

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

56.1

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

t j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.85

Je F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.85

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 25 o C

40.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

259

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

19.7

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 125o C

67.9

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

323

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

32.6

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F = 400A,

-di/dt=3350A/μs,V Généralement générés Je suis désolé. 15V t j = 150o C

77.7

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

342

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

38.3

Je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.35

mΩ

r θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.072

0.095

Pour les produits de base

r θ CS

Pour les appareils de type "IGBT"

Pour les appareils de type "Sync"

0.123

0.162

Pour les produits de base

r θ CS

Casse à évier

0.035

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

g

Poids Module

300

g