Wasserkühlung

VDRM VRRM,

Typ & Umriss

800 V

MT2 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1000 V

MT3 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1200 V

MT3 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1400V

MT3 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1600V

MT3 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1800V

MT3 Verbraucher

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

1800V

MT4Einheitliche Anlage

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(℃)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。Halb Sinuswelle 50 Hz Einseitige Kühlung, Tc=55°C

125

800

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz

1256

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

120

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10 ms halbe Sinuswelle, VR=0V

125

16

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

1280

a)²s* 10³

VTO

Schwellenspannung

135

0.80

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.26

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1500A

25

1.45

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

tgd

Torsteuerung der Verzögerungszeit

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

4

μs

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

125

250

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

300

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

Die Ergebnisse der Analyse werden in der Tabelle 1 beschrieben.

25

1500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.25

v

IGD

Nicht auslösender Torstrom

VDM=67%VDRM

125

5

- Ich weiß.

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.065

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.020

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

v

fm

Anschlussdrehmoment (M10)

10.0

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

2100

G

Umriss

414S3