Wasserkühlung

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

2600 V

MTx600-26-411F3

MTx600-26-411F3

2800 V

MT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

3200 V

MTx600-32-411F3

MT3B1B2B2B3

3400V

MTx600-34-411F3

MT3B1B2B3

3600 V

MTx600-36-411F3

MFx6- Ich weiß.34-411F3

3600 V

MTx600-36-411F3

MFx6- Ich weiß.34-411F3

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55°C

125

600

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

942

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

55

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t= 10 ms halbes Sinus

125

14.0

Ka

Ich²t

I2t für Fusionskoordination

125

980

10³a)²s

VTO

Schwellenspannung

125

1.02

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.70

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1800A

25

2.95

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.054

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.024

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

4000

v

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

16

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10

12

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

3230

G

Umriss

411F3