Wasserkühlung

vRRM,VDRM

Typ und Umriss

2000 V

MT3B1B2B3

MFx500-20-406F3

2200 V

MT3B1B2B3

MFx500-22-406F3

mit einer Leistung von

MT3B1B2B3

MFx500-25-406F3

mit einer Leistung von

MT530-3504F3G

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55°C

125

500

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

785

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

45

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

13

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

845

10³a)²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.87

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.60

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die folgenden Fahrzeuge:

25

2.15

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.085

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.040

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

v

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

1580

G

Umriss

406F3