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MTx400 MFx400 MT400,Tyristor/Diodenmodule,Wasserkühlung

400A,600V bis 1800V,405F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen.
Appurtenance:

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  • Einführung
  • Umriss
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/Diodenmodul, MTx400 MFx400 m400400a),Wasserkühlungvon TECHSEM produziert.

 

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600 V

MT4 Verbraucher

MFx400-06-405F3

800 V

MT4 Verbraucher

MFx400-08-405F3

1000 V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-10-405F3

1200 V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-12-405F3

1400V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-14-405F3

1600V

MTx400-16-405F3

MFx400-16-405F3

1800V

MTx400-18-405F3

MFx400-18-405F3

1800V

MT420-3204

 

MTx steht fürArt der mtc,MTA,MTB  

MFx steht fürArt der MFC,MFA,MFK

 

Merkmale

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

 

 

Symbol

 

Eigenschaft

 

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

 

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55°C

 

125

 

 

400

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

 

 

628

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

 

 

35

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

 

 

12.5

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

 

 

781

103A2s

VTO

Schwellenspannung

 

 

125

 

 

0.80

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

 

 

0.80

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

 

 

1.90

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

 

 

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

 

 

VA=12V, IA=1A

 

 

25

30

 

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

 

3.0

v

IH

Haltestrom

10

 

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

 

 

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

 

 

 

0.11

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

 

 

 

0.04

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

 

3000

 

 

v

 

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

 

 

12

 

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

 

 

4.5

 

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

 

 

-40

 

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Gewicht

 

 

 

1060

 

G

Umriss

405F3

 

 

Umriss

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