Wasserkühlung

vRRM,VDRM

Typ & Umriss

2000 V 

2200 V 

mit einer Leistung von 

mit einer Leistung von

MTx400-20-405F3 

MTx400-22-405F3 

MTx400-25-405F3 

MT420-3204

MFx400-20-405F3 

MFx400-22-405F3 

MFx400-25-405F3

MTx steht für jede Art vonMTC, MTA, MTB

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=55。c

125

400

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

628

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

45

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t= 10 ms halber Sinus,

125

11

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

605

10³A2^s

VTO

Schwellenspannung

125

0.82

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.79

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1200A

25

2.18

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.11

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.04

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

v

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

°C

Wt

Gewicht

1060

G

Umriss

405F3