MTx400 MFx400 MT400, Thyristor/Diodenmodule, Wasserkühlung

Wasserkühlung

MTx400 MFx400 MT400,Tyristor/Diodenmodule,Wasserkühlung

400A,2600V bis 3600V,406F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen.

Appurtenance:

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Einführung
Umriss
Äquivalentschaltbild

Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/Diodenmodul, MTx400 MFx400 m400，400a),Wasserkühlung，von TECHSEM produziert.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

2600 V

2800 V

3000 V

3200 V

3400V

3600 V

MT4Einheitliche Anlage

MT3F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6F6

MT4203 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

MFx400-26-406F3

MFx400-28-406F3

MFx400-30-406F3

MFx400-32-406F3

MFx400-34-406F3

MFx400-36-406F3

MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK

MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK

Merkmale

Isolierte Montagesockel 3000V~
Druckkontakttechnologie mit
Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
Platz- und Gewichtseinsparung

typische Anwendungen

AC/DC-Motorantriebe
Verschiedene Gleichrichter
Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen	Tj(°C)	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen	Tj(°C)	Min	Typ	maximal	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55°C	125			400	a)
IT(RMS)	RMS Durchlassstrom	180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55°C	125			628	a)
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	bei VDRM bei VRRM	125			50	- Ich weiß.
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus,	125			10.5	Ka
1 t	I2t für Fusionskoordination	VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus,	125			551	10³a)²s
VTO	Schwellenspannung		125			0.85	v
rt	Einschaltsteigungswiderstand		125			0.90	mΩ
VTM	Spitzeneinschaltspannung	Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.	25			2.85	v
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend	125			200	A/μs
IGT	Gate-Auslöseström	VA=12V, IA=1A	25	30		200	- Ich weiß.
- Ich weiß.	Gate-Auslösespannung			0.8		3.0	v
IH	Haltestrom			10		200	- Ich weiß.
Der	Haltestrom					1000	- Ich weiß.
VGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Einseitig gekühlt pro Chip				0.100	°C/W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Einseitig gekühlt pro Chip				0.040	°C/W
VISO	Isolationsspannung	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		4000			v
fm	Drehmoment der Endverbindung ((M12)			12		14	N·m
fm	Montagedrehmoment (M6)			4.5		6	N·m
Fernsehen	Junction-Temperatur			-40		125	°C
Tstg	Lagertemperatur			-40		125	°C
Wt	Gewicht				1580		G
Umriss	406F3