1500A,600V bis 1800V, 436F3
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Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul,Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt.，1500a),Luftkühlung,von TECHSEM produziert.
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VRRM,VDRM | Typ und Umriss | |
600 V 800 V 1000 V 1200 V 1400V 1600V 1800V 1800V | MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MTx1500-8-436F3 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1 | MFx1500-6-436F3 MFx1500-8-436F3 MFx1500-10-436F3 MFx1500-12-436F3 MFx1500-14-436F3 MFx1500-16-436F3 MFx1500-18-436F3 |
MTx steht fürArt der MTC, MTA, MTB MFx steht für jede ArtE von MFC, Außenminister, MFK | ||
Merkmale
typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaft |
Prüfbedingungen | Tj(°C) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | maximal | |||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=70°C | 125 |
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| 1500 | a) |
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
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| 130 | - Ich weiß. |
ITSM | Überschuss-Einschaltstrom | VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus, | 125 |
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| 30 | Ka |
1 t | I2t für Fusionskoordination | 125 |
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| 4500 | 103a)2s | |
VTO | Schwellenspannung |
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125 |
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| 0.80 | v |
rt | Einschaltsteigungswiderstand |
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| 0.14 | mΩ | ||
VTM | Spitzeneinschaltspannung | ITM=3000A | 25 |
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| 1.60 | v |
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=67%VDRM | 125 |
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| 1000 | V/μs |
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend | 125 |
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| 200 | A/μs |
IGT | Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A |
25 | 40 |
| 200 | - Ich weiß. |
- Ich weiß. | Gate-Auslösespannung | 1.0 |
| 3.0 | v | ||
IH | Haltestrom | 20 |
| 200 | - Ich weiß. | ||
VGD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM=67%VDRM | 125 |
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| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
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| 0.025 | °C/W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
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| 0.018 | °C/W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
| 3000 |
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| v |
fm | Drehmoment der Endverbindung ((M16) |
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| 20 |
| N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M12) |
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| 14 |
| N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
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| -40 |
| 125 | °C |
Tstg | Lagertemperatur |
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| -40 |
| 125 | °C |
Wt | Gewicht |
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| 6800 |
| G |
Umriss | 436F3 | ||||||
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