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MTx1200 MFx1200, Thyristor/Diodenmodule, Luftkühlung

1200A,600V bis 1800V,412F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MT1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2
Appurtenance:

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  • Umriss
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Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/Diodenmodul,MT12021200a),Luftkühlung,von TECHSEM produziert.

 

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600 V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-06-412F3

800 V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-08-412F3

1000 V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Kraftfahrzeugen.

1200 V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-12-412F3

1400V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-14-412F3

1600V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-16-412F3

1800V

MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MFx1200-18-412F3

1800V

MT1204 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

 

MTx steht fürArt der MTC, MTA, MTB 

MFx steht für jede ArtE von MFC, Außenminister, MFK

 

Merkmale

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

 

 

Symbol

 

Eigenschaft

 

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

 

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=60°C

 

125

 

 

1200

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

 

 

1884

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

 

 

55

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60% VRRM,,t=10ms halber Sinus,

125

 

 

26

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

 

 

3380

103a)2s

VTO

Schwellenspannung

 

 

125

 

 

0.70

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

 

 

0.14

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A

25

 

 

1.96

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

 

 

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

 

 

VA=12V, IA=1A

 

 

25

30

 

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

 

3.0

v

IH

Haltestrom

10

 

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

 

 

1500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180- Nein.Ich habe eine Frage. Einseitig gekühlt pro Splitter

 

 

 

0.048

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Bei 180- Nein.Ich habe eine Frage. Einseitig gekühlt pro Splitter

 

 

 

0.020

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

 

3000

 

 

v

 

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

 

 

12.0

 

16.0

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

 

 

10.0

 

12.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

 

 

-40

 

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Gewicht

 

 

 

3660

 

G

Umriss

412F3

 

 

 

 

Umriss

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