MTx1200 MFx1200 MT1200, Thyristor/Diodenmodule, Wasserkühlung

Wasserkühlung

MTx1200 MFx1200 MT1200, Thyristor/Diode Module, Wasser Kühlung

1200A,600V bis 1800V,411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT130 MT130 MT130

Appurtenance:

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Einführung
Umriss
Äquivalentschaltbild

Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/Diodenmodul, MTx1200 MFx1200 MT130，Wasserkühlung，von TECHSEM produziert.1200a.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600 V

800 V

1000 V

1200 V

1400V

1600V

1800V

MT1B2B3 MT1B3B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B5 MT1B4B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1B5 MT1

Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1083/2006 aufgeführten Daten sind für die Zwecke der Erfassung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1083/2006 genannten Daten zu verwenden.

MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK

MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK

Merkmale

Isolierte Montagesockel 3000V~
Druckkontakttechnologie mit
Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
Platz- und Gewichtseinsparung

typische Anwendungen

AC/DC-Motorantriebe
Verschiedene Gleichrichter
Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen	Tj(°C)	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen	Tj(°C)	Min	Typ	maximal	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55°C	125			1200	a)
IT(RMS)	RMS Durchlassstrom	180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55°C	125			1884	a)
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	bei VDRM bei VRRM	125			55	- Ich weiß.
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus	125			26.0	Ka
Ich²t	I2t für Fusionskoordination	VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus	125			3380	10³a)²s
v_zu	Schwellenspannung		125			0.83	v
R_t	Einschaltsteigungswiderstand		125			0.14	mΩ
v_s	Spitzeneinschaltspannung	ITM=3000A	25			1.88	v
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend	125			200	A/μs
Ich_gt	Gate-Auslöseström	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	- Ich weiß.
v_gt	Gate-Auslösespannung			0.8		3.0	v
Ich_h	Haltestrom			10		200	- Ich weiß.
Ich_Ich...	Haltestrom					1000	- Ich weiß.
v_GD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
R_Die	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Einseitig gekühlt pro Chip				0.048	°C/W
R_Die	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Einseitig gekühlt pro Chip				0.018	°C/W
v_Iso	Isolationsspannung	50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)		3000			v
fm	Drehmoment der Endverbindung ((M12)			12		16	N·m
fm	Das Drehmoment für die Montage ((M8)			10		12	N·m
t_Vj	Junction-Temperatur			-40		125	°C
t_stg	Lagertemperatur			-40		125	°C
Wt	Gewicht				3230		G
Umriss	411F3