Alle Kategorien

Wasserkühlung

Wasserkühlung

Startseite / Produkte / Thyristor/Diodenmodul / Thyristor/Gleichrichter-Module / Wasserkühlung

MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Module, Wasser Kühlung

1000A,600V bis 1800V,411F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx1000 MFx1000 MT1000
Appurtenance:

Produktbroschüre:Herunterladen

  • Einführung
  • Umriss
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/Diodenmodule, MTx1000 MFx1000 MT10001000a),Wasserkühlungvon TECHSEM produziert.

 

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600 V

800 V

1000 V

1200 V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK

MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK

 

 Merkmale

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

 

 

Symbol

 

Eigenschaft

 

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

 

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55°C

 

125

 

 

1000

a)

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

 

 

1570

a)

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

 

 

55

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

 

 

26.0

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

 

 

3380

103a)2s

VTO

Schwellenspannung

 

 

125

 

 

0.81

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

 

 

0.21

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A

25

 

 

2.05

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤ 0,5 μs Repetitive

125

 

 

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

 

 

VA= 12V, IA= 1A

 

 

25

30

 

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

 

3.0

v

IH

Haltestrom

10

 

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

 

 

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

 

 

 

0.048

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

 

 

 

0.018

°C/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

 

3000

 

 

v

 

fm

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

 

 

12

 

16

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

 

 

10

 

12

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

 

 

-40

 

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Gewicht

 

 

 

3230

 

G

Umriss

411F3

 

 

 

Umriss

MFx1000-2.jpg

Äquivalentschaltbild

Equivalent Circuit Schematic.jpg

Erhalten Sie ein kostenloses Angebot

Unser Vertreter wird sich bald mit Ihnen in Verbindung setzen.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000

verwandtes Produkt

Haben Sie Fragen zu Produkten?

Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.

Ein Zitat bekommen

Erhalten Sie ein kostenloses Angebot

Unser Vertreter wird sich bald mit Ihnen in Verbindung setzen.
Email
Name
Firmenname
Nachricht
0/1000