1000A,2000V bis 2500V, 412F3
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Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul, MTx1000 MFx1000 m1000，1000a),Luftkühlung，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM | Typ & Umriss |
| |
2000 V 2200 V mit einer Leistung von mit einer Leistung von | MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 MT1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - | MFx1000-20-412F3 MFx1000-22-412F3 MFx1000-25-412F3 |
|
MTx steht für jede Art von MTC, MTA, MTK MFx steht für jede Art von MFC, MFA, MFK | |||
Merkmale
typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaft |
Prüfbedingungen | Tj(°C) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | maximal | |||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=55°C |
125 |
|
| 1000 | a) |
IT(RMS) | RMS Durchlassstrom |
|
| 1570 | a) | ||
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
|
| 60 | - Ich weiß. |
ITSM | Überschuss-Einschaltstrom | VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus | 125 |
|
| 18 | Ka |
1 t | I2t für Fusionskoordination | 125 |
|
| 1620 | 103A2s | |
VTO | Schwellenspannung |
|
125 |
|
| 0.85 | v |
rt | Einschaltsteigungswiderstand |
|
| 0.24 | mΩ | ||
VTM | Spitzeneinschaltspannung | ITM=3000A | 25 |
|
| 2.40 | v |
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | - Ich weiß. |
- Ich weiß. | Gate-Auslösespannung | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Haltestrom | 20 |
| 200 | - Ich weiß. | ||
Der | Haltestrom |
|
| 1000 | - Ich weiß. | ||
VGD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.030 | °C/W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
| 3000 |
|
| v |
fm | Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | Gewicht |
|
|
| 3660 |
| G |
Umriss | 412F3 | ||||||
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