1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

925

600

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

3000

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc

1.65

2.00

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

60.8

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.84

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

4.64

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG=1.2Ω,Ls=20nH,  VGE=±15V,Tj=25oc

308

NS

tR

Aufstiegszeit

42

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

431

NS

tf

Herbstzeit

268

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

15.7

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG=1.2Ω,Ich...s=20- Nein.- Ich weiß.- Ich weiß.

vGE=±15V,Tj=125oc

311

NS

tR

Aufstiegszeit

49

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

467

NS

tf

Herbstzeit

351

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

31.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

69.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG=1.2Ω,Ich...s=20- Nein.- Ich weiß.- Ich weiß.

 vGE=±15V,Tj=150oc

313

NS

tR

Aufstiegszeit

51

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

475

NS

tf

Herbstzeit

365

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

34.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

71.1

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V

2400

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.85

2.30

v

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=13040A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc

38.1

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

524

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

34.9

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=11220A/μs,VGe=- 15 V, tj= 125oc

82.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

54.4

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=11040A/μs,VGe=- 15 V, tj= 150oc

94.7

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

589

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

55.8

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.050

0.080

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G