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1200 V

1200 V

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Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.

IGBT-Modul, 1200 V 450 A

Brand:
Stärken
Spu:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

typisch Anwendungen

  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • mit einer Leistung von mehr als 50 W
  • ununterbrochene Stromversorgung

Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

 

- Ich weiß.

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler Strom@ tc=25oc

@tc= 100oc

630

400

a)

Ichcm

pulsiert Sammler Strom- Ich weiß.tp= 1m

800

a)

pd

maximal Leistung Ablösung@tj=175oc

2083

w

Diode

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Modul

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Höchsttemperatur der KreuzungVerhalten

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40zu +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40zu +125

oc

vIso

Isolation Spannung- Ich weiß.RMS, f=50Hz, t=1Min

4000

v

- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

 

 

vc(gesetzt)

 

 

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 400A,vGE=15V, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Ichc= 400A,vGE=15V, tj=125oc

 

1.95

 

Ichc= 400A,vGE=15V, tj=150oc

 

2.00

 

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 10.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Abschnittswert für den Sammler

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,

tj=25oc

 

 

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

 

 

1.9

 

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V, f=1MZ- Ich weiß.

vGE=0V

 

41.4

 

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

 

1.16

 

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15V...+15V

 

3.11

 

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=600V,Ichc= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

 

257

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

96

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

628

 

NS

tf

Herbstzeit

 

103

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

23.5

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

34.0

 

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=600V,Ichc= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

 

268

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

107

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

659

 

NS

tf

Herbstzeit

 

144

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

35.3

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

51.5

 

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=600V,Ichc= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

 

278

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

118

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

680

 

NS

tf

Herbstzeit

 

155

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

38.5

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

56.7

 

m

 

IchSc

 

SC-Daten

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=150oc- Ich weiß.vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

 

 

1600

 

 

a)

Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

 

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 400A,vGE=0V,tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Ichf= 400A,vGE=0V,tj= 125oc

 

1.85

 

Ichf= 400A,vGE=0V,tj= 150oc

 

1.85

 

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,Ichf= 400A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt= 5000 A/μs,vGE=- 15 Vtj=25oc

 

38.0

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

285

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

19

 

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,Ichf= 400A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt= 5000 A/μs,vGE=- 15 Vtj= 125oc

 

66.5

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

380

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

36.6

 

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,Ichf= 400A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt= 5000 A/μs,vGE=- 15 Vtj= 150oc

 

76.0

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

399

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

41.8

 

m

 

Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

 

 

20

- Nein.

RCc’+EE

Modulleiterwiderstand, Endpunktan Chip

 

0.18

 

RthJC

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(pro - Ich weiß.)

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(pro Diode)

 

 

0.072

0.095

K/W

 

RthCH

Fall- Ich weiß.zu- Ich weiß.Heizkessel(pro - Ich weiß.)

Fall- Ich weiß.zu- Ich weiß.Heizkessel(pro Diode)

Hülle-Heatsink (pro Modul)

 

0.018

0.023

0.010

 

 

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraubem6Montage Drehmoment- Ich weiß. Schraube m6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

 

300

 

G

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