Eigenschaft
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=100oc |
480 300 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
600 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
1613 |
w |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
300 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
600 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=300A,VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
IC=300A,VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
|||
|
IC=300A,VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
|||
|
VGE(th) |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
IC=7.50mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
|
ICES |
Abschnittswert für den Sammler Strom |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25oC |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IGES |
Gate-Emitter Leckstrom |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.5 |
|
Oh |
|
Cies |
Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
|
31.1 |
|
NF |
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.87 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
VGE=- 15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
|
182 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
464 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
72 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
10.6 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
25.8 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
|
193 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
577 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
113 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
16.8 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
38.6 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
|
203 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
618 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
124 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
18.5 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
43.3 |
|
m |
|
|
Schlechte |
SC-Daten |
Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Tj=150oC,VCC=900V, VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
VF |
Diodenvorwärts Spannung |
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
v |
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC |
|
1.65 |
|
|||
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC |
|
1.65 |
|
|||
|
qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC |
|
29 |
|
μC |
|
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
318 |
|
a) |
|
|
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
18.1 |
|
m |
|
|
qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC |
|
55 |
|
μC |
|
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
371 |
|
a) |
|
|
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
28.0 |
|
m |
|
|
qr |
Wiederhergestellte Ladung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC |
|
64 |
|
μC |
|
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
390 |
|
a) |
|
|
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
|
32.8 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
LCE |
Streuinduktivität |
|
|
20 |
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
|
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
|
0.093 0.155 |
K/W |
|
RthCH |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren. Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Hülle-Heatsink (pro Modul) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
|
m |
Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M6 Montagemoment, Schraube M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
|
G |
Gewicht des Moduls |
|
300 |
|
G |
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