Anwendung von IGBT-Modulen in Mittel-/Hochspannungsumrichtern

Dec.17.2024

■Nachfrage der Industrie

Mittelspannungsfrequenzumrichter beziehen sich allgemein auf Frequenzumrichter mit Spannungen von 660V bis 690V und 1140V. Derzeit werden Mittelspannungsfrequenzumrichter in der städtischen Wasserversorgung, Tauchpumpen, Wasserinjektionspumpen und Schlagmaschinen in Ölfeldern sowie Hauptwellenventilatoren, Förderbändern und Kohlenbergbaumaschinen (explosionsgeschützt) in Kohlenminen eingesetzt und haben gute wirtschaftliche und soziale Vorteile erzielt.
Hochspannungsfrequenzumrichter bezieht sich allgemein auf einen Frequenzumrichter mit einer Spannung von mehr als 1140V. Derzeit machen Pumpenlasten, die in Branchen wie Metallurgie, Chemie, Elektrizität, kommunaler Wasserversorgung und Bergbau weit verbreitet sind, etwa 40% des gesamten Energieverbrauchs elektrischer Geräte aus, und die Stromkosten machen sogar 50% der Produktionskosten in Wasserwerken aus. Dies liegt daran, dass einerseits in der Regel ein gewisser Spielraum im Design der Geräte gelassen wird; andererseits muss die Pumpe aufgrund von Änderungen der Betriebsbedingungen unterschiedliche Durchflussraten ausgeben. Mit der Entwicklung der Marktwirtschaft und der Automatisierung sowie der Verbesserung der Intelligenz ist die Verwendung von Hochspannungsfrequenzumrichtern zur Drehzahlregelung von Pumpenlasten nicht nur vorteilhaft zur Verbesserung von Prozessen und Produktqualität, sondern auch eine Anforderung an die Energieeinsparung und den wirtschaftlichen Betrieb von Geräten und ist ein unvermeidlicher Trend für eine nachhaltige Entwicklung. Es gibt viele Vorteile bei der Drehzahlregelung von Pumpenlasten.

■Systemtopologie:

Topologie 1: Gleichrichtung+Dreiphasen Dreieckschema Diese Topologie wird hauptsächlich für Mittelspannungswandler verwendet.

拓扑1：IGBT的中高压变频器应用.png

Empfohlen IGBT-Modul Auswahl

P/N	Spannung	Aktuell	Verkapselung	Topologie
GD50PIX170C6SA	1200V	50A	C6	PIM
GD150PFX170C6SG	mit einer Leistung von	150A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
GD100PFX170C6SG	mit einer Leistung von	100A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	mit einer Leistung von	600A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD450HFX170C6SA	mit einer Leistung von	450A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD300HFX170C6SA	mit einer Leistung von	300A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD1000HFX170P2S	mit einer Leistung von	1000A	P2	Halbleiterbrücke
GD75HFX170C1S	mit einer Leistung von	75A	C1	Halbleiterbrücke
GD100HFX170C1S	mit einer Leistung von	100A	C1	Halbbrücke/半桥

Topologie 2: Gleichrichtung+Dreiphasen Brückenschema

拓扑2：IGBT的中高压变频器应用.png

Empfohlene Auswahl des IGBT-Moduls

P/N	Spannung	Aktuell	Verkapselung	Topologie
GD50PIX170C6SA	1200V	50A	C6	PIM
GD150PFX170C6SG	mit einer Leistung von	150A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
GD100PFX170C6SG	mit einer Leistung von	100A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	mit einer Leistung von	600A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD450HFX170C6SA	mit einer Leistung von	450A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD450HFX170C6S	mit einer Leistung von	450A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD300HFX170C6SA	mit einer Leistung von	300A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD1000HFX170P2S	mit einer Leistung von	1000A	P2	Halbleiterbrücke
GD75HFX170C1S	mit einer Leistung von	75A	C1	Halbleiterbrücke
GD100HFX170C1S	mit einer Leistung von	100A	C1	Halbleiterbrücke

Topologie 3: Gleichrichtung+H-Brückenschema

拓扑3：IGBT的中高压变频器应用.png

Empfohlene Auswahl des IGBT-Moduls

P/N	Spannung	Aktuell	Verkapselung	Topologie
GD50PIX170C6SA	1200V	50A	C6	PIM
GD150PFX170C6SG	mit einer Leistung von	150A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
GD100PFX170C6SG	mit einer Leistung von	100A	C6	3-Phasen-Gleichrichter, 4-Pack
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	mit einer Leistung von	600A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD450HFX170C6SA	mit einer Leistung von	450A	C6.1	Halbleiterbrücke
GD450HFX170C6S	mit einer Leistung von	450A	C6.1 Hälfte	Brücke
GD300HFX170C6SA	mit einer Leistung von	300A	C6.1 Hälfte	Brücke
GD1000HFX170P2S	mit einer Leistung von	1000A	P2	Halbleiterbrücke
GD75HFX170C1S	mit einer Leistung von	75A	C1	Halbleiterbrücke
GD100HFX170C1S	mit einer Leistung von	100A	C1	Halbleiterbrücke