YMIF650-45,IGBT-Modul,Einzel-Schalter-IGBT,CRRC

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

min

max

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC-Kollektor aktuell 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

I C

T C =80°C

650

Ein

Spitzen-Kollektor aktuell 集电极峰值电流

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

Ein

Spannung des Tor-Emitters gatetreiber-Emitter-Spannung

V GES

-20

20

V

Gesamt leistungsverlust gesamtleistungsverlust

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

DC Vorwärtsstrom gleichstrom-Vorwärtsstrom

I F

650

Ein

Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流

I FRM

tP=1 ms

1300

Ein

- Die Welle. aktuell einschaltstrom

I FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, halbwelle

5300

Ein

IGBT Kurzschluss sCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Isolationsspannung 绝缘电压

V isolierung

1min, f=50Hz

10200

V

Junction-Temperatur 结温

T vj

150

℃

Junction-Betriebstemperatur erature Arbeitszeit

T vj(op)

-50

125

℃

Gehäusetemperatur 温

T C

-50

125

℃

Lagertemperatur

T stg

-50

125

℃

Montagedrehmomente einrichtungstrom

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

tYP

max

Einheit

Sammler (- Emitter) durchbruch spannung

集电极 -发射极阻断电压

V (BR)CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Sättigung des Sammler-Emitters spannung

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

I C =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kollektor-Abschaltspannung aktuell 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

I CES

V CE =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tor leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom

I GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung

V EG (Jahr)

I C =160mA,V CE =V GE , T vj = 25°C

4.5

6.5

V

Tor ladevorgang 极电荷

Q g

I C =650A,V CE = 2800V, V GE =-15V … 15V

5.4

μC

Eingangskapazität Input-Kapazität

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj = 25°C

71.4

nF

Ausgangskapazität Ausgangsleistung

C - Die

4.82

Rückwärtsübertragungs-Kapazität rückwärtsübertragungs-Kapazität

C res

1.28

Einschaltverzögerung zeit 开通延迟时间

t (Das ist ein

V CC = 2800V,

I C =650A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen = 25 °C

420

nS

Fernsehen = 125 °C

528

Aufstiegszeit aufstieg

t r

Fernsehen = 25 °C

160

Fernsehen = 125 °C

190

Verzögerungszeit für die Abschaltung ausschaltverzögerung

t d (aus )

Fernsehen = 25 °C

2100

nS

Fernsehen = 125 °C

2970

Herbstzeit - Ich bin nicht sicher.

t f

Fernsehen = 25 °C

1600

Fernsehen = 125 °C

2760

Einschaltsteuerung energieverlust einschaltverluste

E auf

Fernsehen = 25 °C

1000

mJ

Fernsehen =125 °C

1600

Ausschaltsteuerung energieverlust ausschaltverluste

E aus

Fernsehen = 25 °C

2000

mJ

Fernsehen =125 °C

2740

Kurzschluss aktuell kurzschlussstrom

I SC

t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

Ein

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

min

tYP

max

Einheit

Durchlassspannung vorwärts-Spannung

V F

I F =650A

Fernsehen = 25 °C

3.2

V

Fernsehen = 125 °C

3.6

Umgekehrt rückgewinnungsstrom rückwärts-Wiederherstellungsstrom

I rR

V CC = 2800V,

I C =650A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen = 25 °C

1200

Ein

Fernsehen = 125 °C

1300

Ein

Wiederhergestellte Ladung 恢复电荷

Q rR

Fernsehen = 25 °C

450

μC

Fernsehen = 125 °C

550

μC

Umgekehrt erholungszeit rückwärts-Wiederherstellungszeit

t rR

Fernsehen = 25 °C

660

nS

Fernsehen = 125 °C

750

Umgekehrt energiewiederherstellung rückwärts-Wiederherstellungsenergie

E erklärungen

Fernsehen =25 °C

720

mJ

Fernsehen = 125 °C

860