Teil Nr. Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
IT(AV) |
1600A |
VDRM |
1200V ～ 2000V |
VRRM |
1000V ～ 1800V |
t Q |
20 bis 50 μs |
Funktionen
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
|||
Min |
TYP |
Max |
||||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt |
t C =55 ℃ |
125 |
|
|
1600 |
Ein |
VDRM |
Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung |
tp=10ms |
125 |
1200 |
|
2000 |
V |
|
VRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1000 |
|
1800 |
V |
|||
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
120 |
mA |
|
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
18 |
kA |
|
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
1620 |
103A2s |
|||
VTO |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
1.27 |
V |
|
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.22 |
mΩ |
|||
|
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
20≤q≤28 |
25 |
|
|
2.20 |
V |
29≤tq≤50 |
|
|
2.00 |
V |
||||
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend) |
VDM= 67%VDRM, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Qrr |
Einziehungsgebühr |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel |
125 |
|
750 |
|
μC |
|
Tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
50 |
μs |
|
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
250 |
mA |
|
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.9 |
|
2.5 |
V |
|||
IH |
Haltestrom |
20 |
|
500 |
mA |
|||
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
|||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Bei 180 ° Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 32kN |
|
|
|
0.016 |
℃ /W |
|
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
|
|
|
0.004 |
|||
FM |
Montagekraft |
|
|
27 |
|
34 |
kN |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
|
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
|
Wt |
Gewicht |
|
|
|
640 |
|
g |
|
Gliederung |
KT54cT |
|||||||
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