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Schnelles Abschalten

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Y60KFE, nicht symmetrischer, schnell abschaltender Thyristor

Teil Nr. Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Brand:
TECHSEM
Spu:
Teil Nr. Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.
Appurtenance:

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  • Einführung
  • Umriss
Einführung

IT(AV)

1600a

VDRM

1200V2000V

VRRM

1000 V1800V

tQ- Ich weiß.

- Ich weiß.20 bis 50 μs

 Merkmale

  • Interdigitierte Verstärkungsgitter
  • Schnelles Einschalten und hohe di/dt
  • Niedrige Schaltverluste

typische Anwendungen

  • Induktionsheizung
  • Elektronische Schweißer
  • Selbstkommutierte Wechselrichter

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

 

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

tc=55°C

125

 

 

1600

a)

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

 

125

1200

 

2000

v

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1000

 

1800

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

 

 

120

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

 

125

 

 

18

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

 

 

1620

103A2s

VTO

Schwellenspannung

 

 

125

 

 

1.27

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

 

 

0.22

 

VTM

Spitzeneinschaltspannung

 

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

20≤q≤28

 

25

 

 

2.20

v

29≤tq≤50

 

 

2.00

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

125

 

 

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

125

 

750

 

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

15

 

50

μs

IGT

Gate-Auslöseström

 

 

VA= 12V, IA= 1A

 

 

25

40

 

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

 

2.5

v

IH

Haltestrom

20

 

500

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

 

 

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180- Nein.Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 32kN

 

 

 

0.016

 

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

 

 

 

0.004

fm

Montagekraft

 

 

27

 

34

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

 

 

-40

 

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

 

 

-40

 

140

°C

Wt

Gewicht

 

 

 

640

 

G

Umriss

KT54cT

 

Umriss

Y60KFE-2(1).png

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