IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

294

200

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1056

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

v

I C =200A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =5.0 mA ,v CE = v GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

3.75

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

20.7

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

1.55

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

374

NS

t r

Aufstiegszeit

50

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

326

NS

t F

Herbstzeit

204

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

13.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

419

NS

t r

Aufstiegszeit

63

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

383

NS

t F

Herbstzeit

218

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

20.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

419

NS

t r

Aufstiegszeit

65

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

388

NS

t F

Herbstzeit

222

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

22.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

v

I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

10.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

90

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.40

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

26.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

132

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.75

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

30.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.142

0.202

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g