suv bilan sovutish

vRRMVDRM

turini & Kontur

2000V 

2200V 

2500V 

2500V

MTx400-20-405F3 

MTx400-22-405F3 

MTx400-25-405F3 

MT425-MT425-MT425-MT425-MT4

MFx400-20-405F3 

MFx400-22-405F3 

MFx400-25-405F3

MTx har qanday turdagiMTC, MTA, MTK

Simvol

xususiyati

Sinov sharoitlari

Tj(°C)

qiymat

birligi

daqiqa

turini

maksimal

IT(AV)

O'rtacha yoqilgan holatdagi tok

180°yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonli sovutilgan, TC=55。c

125

400

a

IT ((RMS)

RMS ish holatidagi tok

628

a

Idrm Irrm

Takroriy cho'qqi oqim

VDRM va VRRM da

125

45

mA

ITSM

To'lqin yoqilgan holatdagi tok

VR=60%VRRM, t= 10 ms yarim sinus,

125

11

ka

I2t

Qayta birikish uchun I2t

125

605

10³a2^s

VTO

Chiziqli kuchlanishni

125

0.82

v

rt

Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik

0.79

mΩ

VTM

Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish

ITM= 1200A

25

2.18

v

dv/dt

O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi

Gate manbai 1.5A

tr ≤0.5μs Takroriy

125

200

A/μs

IGT

Eshikni ishga tushirish tok

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Eshikni ishga tushirish kuchlanishi

0.8

3.0

v

IH

Ushlab turish toki

10

200

mA

il

Qayta ushlab turish toki

1000

mA

VGD

Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.11

°C/W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.04

°C/W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

v

fm

Terminal ulanish vring (M12)

12

14

N·m

O'rnatish momenti (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

125

°C

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

°C

Wt

og'irligi

1060

g

koʻrinish

405F3