luftkyla

VRRM, VDRM

Typ & skissera

600 V  

800 V  

1000 V 

1200 V 

1400V 

1600V 

1800V 

1800V

MT3 förpackning   

MTx1500-8-436F3   

MT3 förpackning  

MT3 förpackning  

MT3 förpackning  

MT3 förpackning  

MT3 förpackning  

MT3F3G

MFx1500-6-436F3  

MFx1500-8-436F3

MFx1500-10-436F3 

MFx1500-12-436F3 

MFx1500-14-436F3 

MFx1500-16-436F3 

MFx1500-18-436F3

MTx står förtyp av MTC, MTA, MTK 

MFx står för all typE av MFC, MFA, MFK

Symbol

egenskaper

Testförhållanden

Tj(°C)

värde

enhet

Min

typ

Maximal

IT(AV)

Medel påslagsström

180- Jag är inte säker.halv sinusvåg 50Hz

Ensidig kylning, TC=70°C

125

1500

a)

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

130

- Mamma.

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus,

125

30

Ka

I2t

I2t för smältkoordination

125

4500

10³a)²S

VTO

Tröskelspänning

125

0.80

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

1.60

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

40

200

- Mamma.

Vgt

Portutlösningsspänning

1.0

3.0

V

IH

Hållström

20

200

- Mamma.

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.025

°C/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.018

°C/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M16)

20

N·m

Monteringsmoment ((M12)

14

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

°C

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

°C

Wt

Vikt

6800

g

skissera

436F3