Vattenkyla

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600 V

800 V

1000 V

1200 V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3

MFx1200-06-411F3 MFx1200-08-411F3 MFx1200-10-411F3 MFx1200-12-411F3 MFx1200-14-411F3 MFx1200-16-411F3 MFx1200-18-411F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Symbol

egenskaper

Testförhållanden

Tj(°C)

värde

enhet

Min

typ

Maximal

IT(AV)

Medel påslagsström

180- Jag är inte säker.halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55°C

125

1200

a)

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1884

a)

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

55

- Mamma.

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

26.0

Ka

Jag²t

I2t för smältkoordination

125

3380

10³a)²S

V_till

Tröskelspänning

125

0.83

V

R_t

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

V_sv

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

1.88

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

Jag_gt

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

- Mamma.

V_gt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

Jag_H

Hållström

10

200

- Mamma.

Jag_Jag...

Låsningsström

1000

- Mamma.

V_GD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

R_{Förteckning över de behöriga myndigheterna}

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.048

°C/W

R_{Första stycket}

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.018

°C/W

V_iso

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

t_Vj

sammanslagningstemperatur

-40

125

°C

t_STG

Lagringstemperatur

-40

125

°C

Wt

Vikt

3230

g

skissera

411F3