MTx1000 MFx1000 MT1000,Tyristor/diodmoduler,Vattenkylning ^^Vattenkylning.

Vattenkyla

MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Moduler, Vattenkylning

1000A,600V-1800V, 411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

Produktbroschyr:Ladda ner

Inledning
skissera
Ekvivalent krets schema

Inledning

Kort introduktion

Thyristor/diodmodule, MTx1000 MFx1000 MT1，1000a),Vattenkyla，producerad av TECHSEM .

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600 V

800 V

1000 V

1200 V

1400V

1600V

1800V

MT3 MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Särskilda egenskaper

Isolerad monteringsbas 3000V~
Tryckkontaktteknik med
Ökad effektcykelkapacitet
Utrymmes- och viktbesparing

Typiska tillämpningar

AC/DC-motordrivrutiner
Olika likriktare
Samströmförsörjning för PWM-omvänd

Symbol	egenskaper	Testförhållanden	Tj(°C)	värde			enhet
Symbol	egenskaper	Testförhållanden	Tj(°C)	Min	typ	Maximal	enhet
IT(AV)	Medel påslagsström	180- Jag är inte säker.halv sinusvåg 50Hz Ensidigt kylt, THS=55°C	125			1000	a)
IT ((RMS)	RMS på-läget ström		125			1570	a)
Idrm Irrm	Återkommande toppström	vid VDRM vid VRRM	125			55	- Mamma.
ITSM	Överspännings påslagsström	VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus	125			26.0	Ka
I2t	I2t för smältkoordination	VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus	125			3380	10³a)²S
VTO	Tröskelspänning		125			0.81	V
rt	Påslags lutningsmotstånd		125			0.21	mΩ
VTM	Topp påslags spänning	ITM=3000A	25			2.05	V
dv/dt	Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström	Gate källa 1.5A Tr ≤ 0,5 μs Upprepande	125			200	A/μs
IGT	Portutlösningsström	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	- Mamma.
Vgt	Portutlösningsspänning			0.8		3.0	V
IH	Hållström			10		200	- Mamma.
IL	Låsningsström					1000	- Mamma.
VGD	Icke-utlösningsportspänning	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Termisk resistans från junction till hölje	Ensidigt kyld per chip				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Termisk resistans hölje till kylfläns	Ensidigt kyld per chip				0.018	°C/W
VISO	Isoleringsspänning	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Topp för terminalanslutning ((M12)			12		16	N·m
FM	Monteringsmoment ((M8)			10		12	N·m
Tvj	sammanslagningstemperatur			-40		125	°C
TSTG	Lagringstemperatur			-40		125	°C
Wt	Vikt				3230		g
skissera	411F3