4500В

v _ДРМ

4500

v

Я_TGQM

2200

A

Я_TSM

20

ка

vв

1.31

v

r_t

0.373

mΩ

v_DClink

2800

v

符号

参数名称

Минимум

Типичный

Максимум

单位

f

Сила затяжки

36

40

44

Кн

d p

Диаметр столешницы

-

85

-

мм

h

Высота корпуса

-

26

-

мм

m

质量

-

2.8

-

в кг

d С

Дистанция пробоя

33

-

-

мм

d A

Дистанция разряда

10

-

-

мм

Я

IGCTДлина

-

439

-

мм

h

IGCTВысота

-

41

-

мм

w

IGCT宽度

-

174

-

мм

Символ Номер

参- Что?Число- Что?Название- Что?Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

v ДРМ

Повторяющееся пиковое напряжение в отключенном состоянии

Питание блока управления- Да.tVJ = 125°C,Я D≤Я DRM,tp = 10мс

-

-

4500

v

Я ДРМ

Повторяющееся пиковое значение тока в отключенном состоянии

Питание блока управления- Да.tVJ = 125°C,vD =v DRM,tp = 10мс

-

-

50

Мамочка

vDClink

Среднее постоянное напряжение

Питание блока управления, 100FITДопустимое среднее постоянное напряжение для коэффициента отказа

-

-

2800

v

vRRM

Обратное напряжение

/

-

-

17

v

Символ Номер

参- Что?Число- Что?Название- Что?Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

ЯT(AV)- Что?ЯT(RMS)

Средний ток в включенном состоянии

Квадратный средний ток в включенном состоянии

tC = 85°C,正弦半波- Да.Двустороннее охлаждение

-

-

-

-

1130

1800

A

A

ЯTSM

Я 2t

Неповторяющийся импульсный ток в включенном состоянии

Интеграл тока по времени

tVJ=

125°C,正弦半波, 10мс,vD =vR = 0

-

-

-

-

20

200

ка

104A2s

vТм

Напряжение в включенном состоянии

tVJ=

125°C,Я T = 2200A

-

-

2.24

v

vв

rt

Напряжение порога

Сопротивление наклона

tVJ=

125°C,Я T = 400…3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

v

mΩ

Символ Номер

参- Что?Число- Что?Название- Что?Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

dЯt/dt

Критическая скорость нарастания тока в включенном состоянии

tVJ=125°C,Я T = 2200A,vD = 2800V,

f = 0..500Гц,Я TM≤2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μs

tдон

开通延迟时间

-

3

μs

tdonSF

Время задержки обратной связи при включении

tVJ=125°C,Я T = 2200A,vD = 2800V,

CCL = 10μF, dЯ /dt =vD/Li, RS = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t r

Время спада анодного напряжения

Я... i = 3μH,Я... CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

e на

Энергия включения одиночного импульса

-

-

0.9

j

Символ  Номер

参  Число  Название  Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

ЯTGQM

Максимальный отключаемый ток

tVJ = 125°C,v DM≤v DRM,vD = 2800V,Я... CL≤0.3μH,c CL = 10μF,r S = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A

tdoff

Задержка отключения

-

-

7

μs

tdoffSF

Время задержки обратной связи при отключении

tVJ=125°C,Я TGQ = 2200A,vD = 2800V,

v DM≤v DRM,c CL = 10μF,r S = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t f

Снижение времени

Я... i = 3μH,Я... CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

e выключенный

Энергия отключения одиночного импульса

-

-

12

j

Символ  Номер

参  Число  Название  Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

Я F(AV)

Я f(РМС)

Прямой средний ток

tС  = 85°c- Да.正弦半波

-

-

405

A

Прямой эффективный ток

-

-

635

A

Я ФСМ

Я 2t

浪涌电流 (Восходящий электрический поток)

Интеграл тока по времени

t p = 10ms,tVJ = 125°C,vR = 0V

-

-

11

ка

-

-

60.5

104A2s

vf

Напряжение в включенном состоянии

Я F = 2200A,tVJ = 125°C

-

-

3.93

v

v(F0)

rf

Напряжение порога

Сопротивление наклона

tVJ = 125°C,Я F = 400...3000A

-

-

2.32

v

-

-

0.735

mΩ

Символ  Номер

参  Число  Название  Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

v- - - -

Пиковое напряжение обратного восстановления

dЯ F/dt = 650A/μs,tVJ = 125°C

-

-

80

v

Символ  Номер

参  Число  Название  Наименование

Пункт- Что?Элемент

Наименьший Минимум

Типичный Модель

Наименьший Максимум

单 位

tvj

Диапазон рабочих температур кристалла

0

-

125

°C

tСТГ

Диапазон температур хранения

/

0

-

60

°C

tAMB

Диапазон температур окружающей среды

0

-

50

°C

GCTr thJC GCT

Тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Тепловое сопротивление контакта

Двустороннее охлаждение

-

-

-

-

0.0126

0.0042

K/W

K/W

FRD r thJC FRD

Тепловое сопротивление кристалл-оболочка

Тепловое сопротивление контакта

Двустороннее охлаждение

-

-

-

-

0.0260

0.0104

K/W

K/W