охлаждение водой

VRRM,VDRM

Тип и контур

2000 В

MTx1000-20-411F3

MFx1000-20-411F3

2200 В

MTx1000-22-411F3

MFx1000-22-411F3

2500 В

MTx1000-25-411F3

MFx1000-25-411F3

2500 В

MT1 - М2 - М2 - М2 - М2 - М2

Символ

характеристика

Условия испытаний

Tj(°C)

стоимость

единица

минуты

Тип

Максимальное

IT(AV)

Средний ток в проводимом состоянии

180。полусинусоида 50Гц

Одностороннее охлаждение, THS=55°C 

125

1000

A

IT(RMS)

Эффективный ток в состоянии включения

1570

A

Idrm Irrm

Повторяющийся пиковый ток

при VDRM при VRRM

125

50

Мамочка

ITSM

Импульсный ток в проводимом состоянии

VR=60%VRRM, t=10ms полусинус

125

18.0

ка

I2t

I2t для координации плавления

125

1620

10³A²С

VTO

Напряжение порога

125

0.85

v

Рт

Сопротивление наклона в проводимом состоянии

0.24

mΩ

VTM

Пиковое напряжение в проводимом состоянии

ITM=3000A

25

2.20

v

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения

Источник затвора 1.5A

tr ≤ 0,5μs Повторяющийся

125

200

A/μs

IGT

Ток срабатывания затвора

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

Мамочка

Vgt

Напряжение срабатывания затвора

0.8

3.0

v

IH

Ток удержания

10

200

Мамочка

II.

Ток захвата

1000

Мамочка

VGD

Напряжение затвора без срабатывания

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Одностороннее охлаждение на чип

0.048

。C/W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

Одностороннее охлаждение на чип

0.024

。C/W

Визо

Изоляционное напряжение

50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)

3000

v

Фм

Крутящий момент терминального соединения ((M12)

12

16

Н·м

Момент установки ((M8)

10

12

Н·м

Телевидение

температура соединения

-40

125

°C

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

°C

Вт

вес

3230

g

Очертание

411F3