все категории

1200 В

1200 В

главная страница / Продукты / модуль igbt / 1200 В

GD400SGY120C2S

Модуль IGBT, 1200В 450А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Введение
Введение

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

типичный Приложения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • бесперебойный источник питания

Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

ИГБТ

 

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий@ tc=25oc

@tc= 100oc

630

400

A

Ясм

пульсирующий Коллектор текущий  tp= 1мс

800

A

pd

максимальный Энергия рассеивание@tj=175oc

2083

w

Диод

 

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

модуль

 

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура соединения- Подождите.

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40в +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40в +125

oc

vИзо

Изоляция напряжение  РМС, f=50hz,t=1минуты

4000

v

ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

 

vCE(сидел)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,vGE=15В, tj=25oc

 

1.70

2.15

 

 

v

Яc=400A,vGE=15В, tj=125oc

 

1.95

 

Яc=400A,vGE=15В, tj=150oc

 

2.00

 

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 10.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Ток коллектора отключения

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,

tj=25oc

 

 

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

 

 

1.9

 

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=1МГЗ- Да.

vGE=0В

 

41.4

 

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

 

1.16

 

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15V…+15V

 

3.11

 

μC

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

 

257

 

NS

tr

Время нарастания

 

96

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

628

 

NS

tf

Время спада

 

103

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

23.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

34.0

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

 

268

 

NS

tr

Время нарастания

 

107

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

659

 

NS

tf

Время спада

 

144

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

35.3

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

51.5

 

МГ

td(на)

Время задержки включения

 

 

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

 

278

 

NS

tr

Время нарастания

 

118

 

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

 

680

 

NS

tf

Время спада

 

155

 

NS

eна

Включить переход

потеря

 

38.5

 

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

 

56.7

 

МГ

 

Яsc

 

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=150oc- Да.vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

 

 

1600

 

 

A

Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

 

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,vGE=0V,tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Яf=400A,vGE=0V,tj= 125oc

 

1.85

 

Яf=400A,vGE=0V,tj= 150oc

 

1.85

 

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj=25oc

 

38.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

285

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

19

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj= 125oc

 

66.5

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

380

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

36.6

 

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj= 150oc

 

76.0

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

399

 

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

 

41.8

 

МГ

 

модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание

 

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

 

 

20

НН

rСк.+EE

Сопротивление выводов модуля, терминалк чипу

 

0.18

 

rthJC

Переходный пункт-в-Кейс(за ИГБТ)

Переходный пункт-в-Кейс(за Диод)

 

 

0.072

0.095

K/W

 

rthCH

Кейс-в-Радиатор(за ИГБТ)

Кейс-в-Радиатор(за Диод)

Корпус к радиатору (на модуль)

 

0.018

0.023

0.010

 

 

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винтm6 Монтаж крутящий момент- Да. винт m6

2.5

3.0

 

5.0

5.0

n.m.

g

Вес модуль

 

300

 

g

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

сопутствующий продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить смету

Получите бесплатную оценку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000