mājas lapa / produkti / igbt modulis / 3300V
Atslēga- Vai?parametri
|
vTips |
3300- Vai?v |
|
vc(= 40) |
(Typ)- Vai?- Vai?2.40- Vai?v |
|
ic |
(Max)- Vai?1000- Vai?a) |
|
iC(RM) |
(Max)- Vai?- Vai?2000- Vai?a) |
- Vai?
Tipiskas lietošanas metodes
Tipiskas lietošanas metodes
Absolūtā maksimālā vērtība
|
(Simbols) |
(Parameter) |
(Testa apstākļi) |
(vērtība) |
( vienība) |
|
VCES |
Sildītājs-izsildītājs |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
Kolektors-izsūknis strāvas |
TC = 95 °C |
1000 |
a) |
|
IC(PK) |
Sildītāja maksimālais strāvas daudzums |
t P= 1ms |
2000 |
a) |
|
P max |
Maks. tranzistora jaudas izmešana |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
kW |
|
I 2t |
Diode I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Visol |
Izolācijas spriegums – uz moduli |
Kopējie termināļi uz pamatplates), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
Daļēja izlāde – uz moduli |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
- Vai?
- Vai?
Elektriskās īpašības
|
(Simbols) |
(Parametrs) |
(Testa apstākļi) |
(Min) |
(Typ) |
(Max) |
(Vienība) |
|
|
- Vai? I CES |
- Vai? - Vai? Kolektors ir pārklāts ar strāvu |
VGE = 0V,VCE = VCES |
- Vai? |
- Vai? |
1 |
māte |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
- Vai? |
- Vai? |
60 |
māte |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
- Vai? |
- Vai? |
100 |
māte |
|||
|
I GES |
- Vai? Izplūdes strāvas |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
- Vai? |
- Vai? |
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
Izmantošanas ātrums |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
- Vai? VCE |
- Vai? (*1) (sat) |
Sātums kolektorā un emitentā spriegums |
VGE= 15V, I C= 1000A |
- Vai? |
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
- Vai? |
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
- Vai? |
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
Dioda virsma uz priekšu |
dc |
- Vai? |
1000 |
- Vai? |
a) |
|
|
I FRM |
- Vai? Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums |
t P = 1ms |
- Vai? |
2000 |
- Vai? |
a) |
|
|
- Vai? VF(*1) |
- Vai? - Vai? Dioda priekšējā spriegums |
I F= 1000A |
- Vai? |
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
- Vai? |
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
- Vai? |
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
- Vai? ies |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- Vai? |
170 |
- Vai? |
MHz |
|
|
Q g |
nF |
Vārsta uzlāde |
- Vai? |
17 |
- Vai? |
μC |
|
|
C res |
Apgādes pārneses kapacitāte |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- Vai? |
4 |
- Vai? |
MHz |
|
|
L M |
- Vai? Moduļa induktivitāte |
- Vai? |
- Vai? |
15 |
- Vai? |
nH |
|
|
R INT |
Iekšējā tranzistora pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
165 |
- Vai? |
μΩ |
|
|
- Vai? I SC |
Īssavienojuma strāva, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
- Vai? |
- Vai? 3900 |
- Vai? |
- Vai? a) |
|
- Vai?
|
Td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Vai? |
1800 |
- Vai? |
ns |
|
t f |
Krituma laiks |
- Vai? |
530 |
- Vai? |
ns |
|
|
E OFF |
Izslēgšanas enerģijas zudumi |
- Vai? |
1600 |
- Vai? |
mJ |
|
|
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? |
680 |
- Vai? |
ns |
|
|
t r |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
320 |
- Vai? |
ns |
|
|
EON |
Ieslēgšanas enerģijas zudums |
- Vai? |
1240 |
- Vai? |
mJ |
|
|
Q rr |
Diodes reversās atgūšanas uzlāde |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
- Vai? |
780 |
- Vai? |
μC |
|
I rr |
Diodes reversās atgūšanas strāva |
- Vai? |
810 |
- Vai? |
a) |
|
|
E rec |
Diodes reversās atgūšanas enerģija |
- Vai? |
980 |
- Vai? |
mJ |
|
|
Td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- Vai? |
1940 |
- Vai? |
ns |
|
t f |
Nolieku laiks |
- Vai? |
580 |
- Vai? |
ns |
|
|
E OFF |
Izslēgšanas enerģijas zudumi |
- Vai? |
1950 |
- Vai? |
mJ |
|
|
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? |
660 |
- Vai? |
ns |
|
|
t r |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
340 |
- Vai? |
ns |
|
|
EON |
Ieslēgšanas enerģijas zudums |
- Vai? |
1600 |
- Vai? |
mJ |
|
|
Q rr |
Diodes reversās atgūšanas uzlāde |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
- Vai? |
1200 |
- Vai? |
μC |
|
I rr |
Diodes reversās atgūšanas strāva |
- Vai? |
930 |
- Vai? |
a) |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
