mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1700V
īpašības
- Vai?
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?piezīme
IGBT
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
v |
|
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
|
ic |
Saldēšanas šķidrumsc=25oc @ Tc=- Vai?100oc |
1073 650 |
a) |
|
iCM |
Pulsējošais kolektorsp=1ms |
1300 |
a) |
|
pd |
Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc |
4.2 |
kW |
- Vai?
Dioda
- Vai?
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
v |
|
if |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde |
650 |
a) |
|
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
1300 |
a) |
moduls
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
tjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
|
tžop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
|
tSTG |
uzglabāšanas temperatūraRažotājs |
-40 līdz +150 |
oc |
|
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min. |
4000 |
v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
1.90 |
2.35 |
- Vai? - Vai? v |
|
ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc |
- Vai? |
2.35 |
- Vai? |
|||
|
ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc |
- Vai? |
2.45 |
- Vai? |
|||
|
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums |
ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt strāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V, tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
|
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
|
rGint |
Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
- Vai? |
- Vai? |
2.3 |
- Vai? |
Ω |
|
c125 °C |
ies |
vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V |
- Vai? |
72.3 |
- Vai? |
MHz |
|
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
1.75 |
- Vai? |
MHz |
|
|
qg |
nF |
vĢEN=-- Vai?15...+15V |
- Vai? |
5.66 |
- Vai? |
μC |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=25oc |
- Vai? |
468 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
86 |
- Vai? |
ns |
|
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
850 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
363 |
- Vai? |
ns |
|
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
226 |
- Vai? |
mJ |
|
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
161 |
- Vai? |
mJ |
|
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
480 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
110 |
- Vai? |
ns |
|
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
1031 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
600 |
- Vai? |
ns |
|
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
338 |
- Vai? |
mJ |
|
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
226 |
- Vai? |
mJ |
|
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
480 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
120 |
- Vai? |
ns |
|
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
1040 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
684 |
- Vai? |
ns |
|
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
368 |
- Vai? |
mJ |
|
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
242 |
- Vai? |
mJ |
|
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V |
- Vai? |
- Vai? 2600 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
- Vai? vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=650A,VĢEN=0V,Tj=25oc |
- Vai? |
1.85 |
2.30 |
- Vai? v |
|
if=650A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
1.98 |
- Vai? |
|||
|
if=650A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
2.02 |
- Vai? |
|||
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc |
- Vai? |
176 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
765 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
87.4 |
- Vai? |
mJ |
|
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
292 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
798 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
159 |
- Vai? |
mJ |
|
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
341 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
805 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
192 |
- Vai? |
mJ |
NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
r25 |
Nominālais pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
- Vai? |
kΩ |
|
ΔR/R |
Atkāpe- Vai?no- Vai?r100 |
tc=- Vai?100- Vai?oC,R100= 493,3Ω |
-5 |
- Vai? |
5 |
% |
|
p25 |
jauda Zudums |
- Vai? |
- Vai? |
- Vai? |
20.0 |
sv |
|
b25/50 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3375 |
- Vai? |
k |
|
b25/80 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3411 |
- Vai? |
k |
|
b25/100 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3433 |
- Vai? |
k |
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
18 |
- Vai? |
nH |
|
rCC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu |
- Vai? |
0.30 |
- Vai? |
mΩ |
|
rTJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar kārtu (par D)jods) |
- Vai? |
- Vai? |
35.8 71.3 |
K/kW |
|
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) |
- Vai? |
13.5 26.9 4.5 |
- Vai? |
K/kW |
|
- Vai? m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?Skrūve M4- Vai?Termināla savienojums Griezes moments,- Vai?Skrūve M8- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis |
1.8 8.0 3.0 |
- Vai? |
2.1 10.0 6.0 |
- Vai? N.m. |
|
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
810 |
- Vai? |
g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
