produkta brošūra:lejupielādēt
īsa ievadīšana
Tiristors/Diodes modulis, MTx1000 MFx1000 MT1000,1000a),gaisa dzesēšana,TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tips un kontūra | |
600V | MT3tālrunis | MFx1000-06-412F3 |
800V | MT3tālrunis | MFx1000-08-412F3 |
1000V | MT3tālrunis | MFx1000-10-412F3 |
1200v | MT3tālrunis | MFx1000-12-412F3 |
1400V | MT3tālrunis | MFx1000-14-412F3 |
1600V | MTx1000-16-412F3 | MFx1000-16-412F3 |
1800V | MT3tālrunis | MFx1000-18-412F3 |
1800V | MT3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3P3 |
|
MTx ir jebkuratipa MTC, MTA, MTK
īpašības
Tipiskas lietošanas metodes
Sīkāku informāciju |
raksturīga |
Testēšanas apstākļi | Tj(°C) | vērtība |
vienība | ||
min | tipa | maksimāli | |||||
IT(AV) | Vidējā ieslēgšanās strāva | 180°pusviļņa 50Hz Vienkārša atdzesēta puse, TC=65°C |
125 |
|
| 1000 | a) |
IT ((RMS) | RMS aktīvā strāva |
|
| 1570 | a) | ||
Idrm Irrm | Atkārtota maksimuma strāva | pie VDRM pie VRRM | 125 |
|
| 55 | māte |
ITSM | Pārsprieguma ieslēgšanās strāva | VR=60%VRRM, t=10ms pussinusa, | 125 |
|
| 26.0 | kA |
i2t | I2t saplūšanas koordinācijai | 125 |
|
| 3380 | 103a)2s | |
VTO | Sīkāko spiedienu |
|
125 |
|
| 0.80 | v |
rt | Ieslēgšanās slīpuma pretestība |
|
| 0.18 | mΩ | ||
VTM | Maksimālais ieslēgšanās spriegums | ITM=3000A | 25 |
|
| 1.86 | v |
dv/dt | Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums | Vārsta avots 1.5A tr ≤0.5μs Atkārtota | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Vārsta aktivizēšanas strāva |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | māte |
Vgt | Vārsta aktivizēšanas spriegums | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Turēšanas strāva | 10 |
| 200 | māte | ||
IL | Bloķēšanas strāva |
|
| 1500 | māte | ||
VGD | Neaktivizējošais vārsta spriegums | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam | Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju | Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai |
|
|
| 0.020 | °C/W |
VISO | Izolācijas spriegums | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (max) |
| 3000 |
|
| v |
FM | Slēguma savienojuma griezes moments ((M12) |
|
| 12.0 |
| 16.0 | N·m |
Pievienošanas griezes moments ((M8) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m | |
TVj | Junkcijas temperatūra |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Uzglabāšanas temperatūra |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | svars |
|
|
| 3660 |
| g |
Kontūra | 412F3 |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.