MTx1000 MFx1000 MT1000, tiristoru/diodēmoduļi, gaisa dzesēšana

gaisa dzesēšana

MTx1000 MFx1000 MT1000,Tiristoru/diodēmoduļi, gaisa dzesēšana

1000A,2000V ~ 2500V,412F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

produkta brošūra:lejupielādēt

ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

ievads

īsa ievadīšana

Tiristors/Diodes modulis, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000a),gaisa dzesēšana，TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tips un kontūra

2000V

2200V

2500V

MT3tālrunis

MFx1000-20-412F3

MFx1000-22-412F3

MFx1000-25-412F3

MTx ir jebkura veida MTC, MTA, MTK

MFx ir jebkura veida MFC, MFA, MFK

īpašības

Izolēta montāžas bāze 3000V~
Spiediena kontaktu tehnoloģija ar
Palielinātu jaudas ciklu spēju
Telpas un svara ietaupījums

Tipiskas lietošanas metodes

AC/DC motoru vadītāji
Dažādi taisngrieži
Tiešsaistes pieslēgums PWM invertai

Sīkāku informāciju	raksturīga	Testēšanas apstākļi	Tj(°C)	vērtība			vienība
Sīkāku informāciju	raksturīga	Testēšanas apstākļi	Tj(°C)	min	tipa	maksimāli	vienība
IT(AV)	Vidējā ieslēgšanās strāva	180°pusviļņa 50Hz Vienkārša atdzesēta puse, TC=55°C	125			1000	a)
IT ((RMS)	RMS aktīvā strāva	180°pusviļņa 50Hz Vienkārša atdzesēta puse, TC=55°C	125			1570	a)
Idrm Irrm	Atkārtota maksimuma strāva	pie VDRM pie VRRM	125			60	māte
ITSM	Pārsprieguma ieslēgšanās strāva	VR=60%VRRM, t=10ms pussinusa	125			18	kA
I2t	I2t saplūšanas koordinācijai	VR=60%VRRM, t=10ms pussinusa	125			1620	103A2s
VTO	Sīkāko spiedienu		125			0.85	v
rt	Ieslēgšanās slīpuma pretestība		125			0.24	mΩ
VTM	Maksimālais ieslēgšanās spriegums	ITM=3000A	25			2.40	v
dv/dt	Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums	Vārsta avots 1.5A tr ≤0.5μs Atkārtota	125			200	A/μs
IGT	Vārsta aktivizēšanas strāva	VA=12V, IA=1A	25	30		200	māte
Vgt	Vārsta aktivizēšanas spriegums			0.8		3.0	v
IH	Turēšanas strāva			20		200	māte
IL	Bloķēšanas strāva					1000	māte
VGD	Neaktivizējošais vārsta spriegums	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju	Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai				0.030	°C/W
VISO	Izolācijas spriegums	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (max)		3000			v
FM	Slēguma savienojuma griezes moments ((M12)			12		16	N·m
FM	Pievienošanas griezes moments ((M8)			10		12	N·m
TVj	Junkcijas temperatūra			-40		125	°C
TSTG	Uzglabāšanas temperatūra			-40		125	°C
Wt	svars				3660		g
Kontūra	412F3