visas kategorijas

1200v

1200v

mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v

GD800HFL120C3S

IGBT moduļi, 1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFL120C3S
  • ievads
ievads

īpašības

  • Augsta īslaicīgas sakaru spēja, pašizslēdzība līdz 6*IC
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zema induktivitāteuzglabāšanas
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

tipiska- Vai?pieteikumi

  • AC inverters- Vai?Diski
  • Pārvietošanas režīma jauda- Vai?piegādes
  • elektriskās sārgmašīnas

Absolūtās maksimālās vērtībastc=25°C- Vai?ja vien nav citādiTeds

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

GD800HFL120C3S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

a)

800

iCM(1)

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

1600

a)

if

Dioda nepārtraukta tālvadība

800

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums

1600

a)

pd

Maksimālā jaudatj= 150°C

4310

w

tSC

Īssavienojuma izturības laiks    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz- Vai?+150

°C

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz- Vai?+125

°C

i2T-vērtība, diode

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

140

kA2s

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

uzstādīšana

griezes moments

Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M4

Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8

1.7 līdz- Vai?2.3

8.0 līdz- Vai?10

N.m.

uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6

4.25 līdz- Vai?5.75

N.m.

- Vai?

Elektriskās īpašības- Vai?IGBTtc=25°C- Vai?ja vien nav norādīts citādi

Neattīrīti

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

bv- Vai?Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

tj=25°C

1200

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas

vc=VTipsVĢEN=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

vĢEN=V=150 °CVc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

400

no

Par raksturlielumiem

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vGE (š)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

ic= 32mA,Vc=VĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

1.8

- Vai?

- Vai?

- Vai?

v

ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C

- Vai?

2.0

- Vai?

Izmainīt raksturuiztikā

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

qĢEN

nF

ic=800A,Vc=600V,

vĢEN=-15...+15V

- Vai?

11.5

- Vai?

μC

td ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

vCC= 600V,Ic=800A,

rGons=3,3Ω,

rGoff= 0,39Ω,

vĢEN- Vai?15V,Tj=25°C

- Vai?

600

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

230

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

820

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

150

- Vai?

ns

td ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,

rGons=3,3Ω,

rGoff= 0,39Ω,

vĢEN- Vai?15V,Tj=125°C

- Vai?

660

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

220

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

960

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

180

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi

- Vai?

160

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

125

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

61.8

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

4.2

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

2.7

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tsc10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C- Jā,

vCC= 900V,- Vai?vCEM- Vai?1200v

- Vai?

- Vai?

3760

- Vai?

- Vai?

a)

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE'

Modula vedlejuma pretestībac)- Vai?termināls uz čipu

tc=25°C

- Vai?

0.18

- Vai?

mΩ

- Vai?

elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=800A

tj=25°C

- Vai?

2.4

- Vai?

v

tj=125°C

- Vai?

2.2

- Vai?

qr

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

- Vai?

- Vai?

if=800A,

vr=600V,

di/dt=-3600A/μs,- Vai?vĢEN=-15V

tj=25°C

- Vai?

37

- Vai?

μC

tj=125°C

- Vai?

90

- Vai?

- Vai?

iRM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas

tj=25°C

- Vai?

260

- Vai?

- Vai?

a)

tj=125°C

- Vai?

400

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

9

- Vai?

mJ

tj=125°C

- Vai?

24

- Vai?

- Vai?

Termisko īpašību apraksts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

IGBT daļas, kas ir savienotas ar korpusu- Vai?1/2 moduļa)

- Vai?

0.029

K/W

rθJC

"Slēgtā" (diodē) daļa- Vai?1/2 moduļa)

- Vai?

0.052

K/W

rθCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(Pielieto konduktīva tauku,Modulis)

0.006

- Vai?

K/W

svars

Masas- Vai?moduls

1500

- Vai?

g

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000

saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

saņemt citu

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000