mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūtās maksimālās vērtībastc=25°C- Vai?ja vien nav citādiTeds
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
GD800HFL120C3S |
Vienības |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
v |
ic |
@ Tc=25°C @ Tc=80°C |
1250 |
a) |
800 |
|||
iCM(1) |
Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā |
1600 |
a) |
if |
Dioda nepārtraukta tālvadība |
800 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums |
1600 |
a) |
pd |
Maksimālā jaudatj= 150°C |
4310 |
w |
tSC |
Īssavienojuma izturības laiks @ Tj=125°C |
10 |
μs |
tj |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz- Vai?+150 |
°C |
tSTG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz- Vai?+125 |
°C |
i2T-vērtība, diode |
vr=0V, t=10ms, Tj=125°C |
140 |
kA2s |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
uzstādīšana griezes moments |
Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M4 Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8 |
1.7 līdz- Vai?2.3 8.0 līdz- Vai?10 |
N.m. |
uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6 |
4.25 līdz- Vai?5.75 |
N.m. |
- Vai?
Elektriskās īpašības- Vai?IGBTtc=25°C- Vai?ja vien nav norādīts citādi
Neattīrīti
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
bv- Vai?Tips |
Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums |
tj=25°C |
1200 |
- Vai? |
- Vai? |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas |
vc=VTipsVĢEN=0V,- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde strāvas |
vĢEN=V=150 °CVc=0V,- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
Par raksturlielumiem
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
vGE (š) |
Vārda emitenta slieksnis spriegums |
ic= 32mA,Vc=VĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C |
5.0 |
6.2 |
7.0 |
v |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
1.8 |
- Vai? |
- Vai? - Vai? v |
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C |
- Vai? |
2.0 |
- Vai? |
Izmainīt raksturuiztikā
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
qĢEN |
nF |
ic=800A,Vc=600V, vĢEN=-15...+15V |
- Vai? |
11.5 |
- Vai? |
μC |
td ((on) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
vCC= 600V,Ic=800A, rGons=3,3Ω, rGoff= 0,39Ω, vĢEN- Vai?=±15V,Tj=25°C |
- Vai? |
600 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
230 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
820 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
150 |
- Vai? |
ns |
|
td ((on) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 600V,Ic=800A, rGons=3,3Ω, rGoff= 0,39Ω, vĢEN- Vai?=±15V,Tj=125°C |
- Vai? |
660 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
220 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
960 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
180 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi |
- Vai? |
160 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgšanas slēgšanas zudums |
- Vai? |
125 |
- Vai? |
mJ |
|
c125 °C |
ies |
- Vai? vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V |
- Vai? |
61.8 |
- Vai? |
MHz |
cejs |
Izvades jauda |
- Vai? |
4.2 |
- Vai? |
MHz |
|
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
2.7 |
- Vai? |
MHz |
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C- Jā, vCC= 900V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 3760 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
- Vai? |
20 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE' |
Modula vedlejuma pretestībac)- Vai?termināls uz čipu |
tc=25°C |
- Vai? |
0.18 |
- Vai? |
mΩ |
- Vai?
elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
|
vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=800A |
tj=25°C |
- Vai? |
2.4 |
- Vai? |
v |
tj=125°C |
- Vai? |
2.2 |
- Vai? |
||||
qr |
Dioda atkārtots atgūstamās izmaksas |
- Vai? - Vai? if=800A, vr=600V, di/dt=-3600A/μs,- Vai?vĢEN=-15V |
tj=25°C |
- Vai? |
37 |
- Vai? |
μC |
tj=125°C |
- Vai? |
90 |
- Vai? |
||||
- Vai? iRM |
Dioda virsmas Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas |
tj=25°C |
- Vai? |
260 |
- Vai? |
- Vai? a) |
|
tj=125°C |
- Vai? |
400 |
- Vai? |
||||
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
tj=25°C |
- Vai? |
9 |
- Vai? |
mJ |
|
tj=125°C |
- Vai? |
24 |
- Vai? |
- Vai?
Termisko īpašību apraksts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
rθJC |
IGBT daļas, kas ir savienotas ar korpusu- Vai?1/2 moduļa) |
- Vai? |
0.029 |
K/W |
rθJC |
"Slēgtā" (diodē) daļa- Vai?1/2 moduļa) |
- Vai? |
0.052 |
K/W |
rθCS |
Korpuss uz siltuma izkliedētāju (Pielieto konduktīva tauku,Modulis) |
0.006 |
- Vai? |
K/W |
svars |
Masas- Vai?moduls |
1500 |
- Vai? |
g |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.