mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts- Vai?
IGBT
Sīkāku informāciju |
apraksts |
Vērtības |
vienība |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
ic |
Saldēšanas šķidrumsc=100oc |
800 |
a) |
iCM |
Pulsējošais kolektorsp=1ms |
1600 |
a) |
pd |
Maksimālais jaudas izmešana @ Tvj=175oc |
4687 |
w |
Dioda
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
Vērtības |
vienība |
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums |
1200 |
v |
if |
Dioda nepārtraukta uz priekšuīr |
900 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
1800 |
a) |
iFSM |
Pārsprieguma uz priekšu strāva tp=10ms @ Tvj=125oc- Vai?@ Tvj=175oc |
2392 2448 |
a) |
i2t |
i2t-vērtība- Jā,tp=10Lūdzu@tvj=125oc@ Tvj=175oc |
28608 29964 |
a)2s |
moduls
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
tvjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
tvjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
tSTG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
oc |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents- Vai?Sātumapstrādes spriegums |
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=25oc |
- Vai? |
1.40 |
1.85 |
- Vai? - Vai? v |
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=125oc |
- Vai? |
1.60 |
- Vai? |
|||
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=175oc |
- Vai? |
1.60 |
- Vai? |
|||
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums |
ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tvj=25oc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgtstrāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tvj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
1.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tvj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
rGint |
Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
- Vai? |
- Vai? |
0.5 |
- Vai? |
Ω |
c125 °C |
ies |
vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V |
- Vai? |
28.4 |
- Vai? |
MHz |
cres |
Atgriezītais pārvedums- Vai?Jauda |
- Vai? |
0.15 |
- Vai? |
MHz |
|
qg |
nF |
vĢEN=-15...+15V |
- Vai? |
2.05 |
- Vai? |
μC |
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?rg=0.5Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V, tvj=25oc |
- Vai? |
168 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
78 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
428 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
123 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
43.4 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
77.0 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=800A,- Vai? rg=0.5Ω, Ls=40nH, - Vai?vĢEN=-8V/+15V, tvj=125oc |
- Vai? |
172 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
84 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
502 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
206 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
86.3 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
99.1 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=800A, - Vai?rg=0.5Ω, Ls=40nH,- Vai? vĢEN=-8V/+15V, tvj=175oc |
- Vai? |
174 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
90 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
531 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
257 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
99.8 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas- Vai?zaudējumi |
- Vai? |
105 |
- Vai? |
mJ |
|
- Vai? - Vai? iSC |
- Vai? - Vai? SC dati |
tp≤8μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums tvj= 150oC, vCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 2600 |
- Vai? |
- Vai? a) |
tp≤ 6 μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums tvj=175oC, vCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 2500 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
- Vai? vf |
Diode uz priekšu- Vai?spriegums |
if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=25oc |
- Vai? |
1.60 |
2.00 |
- Vai? v |
if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=125oc |
- Vai? |
1.60 |
- Vai? |
|||
if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=175oc |
- Vai? |
1.50 |
- Vai? |
|||
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If=800A, -di/dt=7778A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=25oc |
- Vai? |
47.7 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
400 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
13.6 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If=800A, -di/dt=7017A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=125oc |
- Vai? |
82.7 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
401 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
26.5 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If=800A, -di/dt=6380A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=175oc |
- Vai? |
110 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
413 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
34.8 |
- Vai? |
mJ |
- Vai?
NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
r25 |
Nominālais pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
- Vai? |
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe- Vai?no- Vai?r100 |
tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω |
-5 |
- Vai? |
5 |
% |
p25 |
jauda Zudums |
- Vai? |
- Vai? |
- Vai? |
20.0 |
sv |
b25/50 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))] |
- Vai? |
3375 |
- Vai? |
k |
b25/80 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))] |
- Vai? |
3411 |
- Vai? |
k |
b25/100 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))] |
- Vai? |
3433 |
- Vai? |
k |
- Vai?
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
20 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
- Vai? |
0.80 |
- Vai? |
mΩ |
rTJC |
Savienojums- Esmu gatavs.uz- Esmu gatavs.uzglabāšanas(perIGBT)- Vai?Savienojums ar korpusu (par Di)ode) |
- Vai? |
- Vai? |
0.032 - Vai?0.049 |
K/W |
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Kaste uz siltuma izkliedētāju (per Diode) Korpuss uz siltuma izkliedētāju (perModulis) |
- Vai? |
0.030- Vai? 0.046- Vai? 0.009 |
- Vai? |
K/W |
m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis |
3.0- Vai?3.0 |
- Vai? |
6.0- Vai?6.0 |
N.m. |
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
350 |
- Vai? |
g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.