1200v

Sīkāku informāciju

apraksts

GD600SGL120C2S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25°C

@ Tc=- Vai?100°C

950

a)

600

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1200

a)

if

Dioda nepārtraukta tālvadība

600

a)

iFM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunktsīrvalde

1200

a)

pd

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=- Vai?175°C

3750

w

tSC

Sīkss savienojums ar šoun laiks

10

μs

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

i2T-vērtība, diode

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

74000

a)2s

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

- Vai?

Pievienošanas griezes moments

Sistēmas signāla termināls- Vai?Šķirbju:M4

1.1 līdz- Vai?2.0

- Vai?

Jautājumu termināla skrūvs:M6

2,5 līdz- Vai?5.0

N.m.

uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6

3,0 līdz- Vai?5.0

- Vai?

svars

svars- Vai?no- Vai?moduls

300

g

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

v(BR)Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

tj=25°C

1200

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

400

no

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

ic=24māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

1.9

- Vai?

- Vai?

- Vai?

v

ic= 600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=- Vai?125°C

- Vai?

2.1

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

vCC= 600V,Ic= 600A,- Vai?rg=3Ω,

vĢEN=±15- Vai?V,Tj=25°C

- Vai?

200

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

62

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

510

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 600A,- Vai?rg=3Ω,

vĢEN=±15- Vai?V,Tj=25°C

- Vai?

60

- Vai?

ns

euz

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

39

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

48

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 600A,

rg=3Ω,VĢEN=±15- Vai?V,- Vai?tj=- Vai?125°C

- Vai?

210

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

65

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

600

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

75

- Vai?

ns

euz

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

45

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

60

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

41.0

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

3.1

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

2.0

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums - Vai?tj=125°C- Jā,

vCC= 900V,- Vai?vCEM≤1200v

- Vai?

- Vai?

2600

- Vai?

- Vai?

a)

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE- Vai?'

Modula vedlejuma pretestībae,- Vai?termināls uz čipu

tc=25°C

- Vai?

0.18

- Vai?

mΩ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=600A

tj=25°C

- Vai?

1.8

2.4

v

tj=- Vai?125°C

- Vai?

1.9

2.5

qr

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

- Vai?

if= 600A,

vr=600V,

di/dt=-6000A/μs,- Vai?vĢEN=-- Vai?15V

tj=25°C

- Vai?

65

- Vai?

μC

tj=- Vai?125°C

- Vai?

100

- Vai?

- Vai?

iRM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas

tj=25°C

- Vai?

450

- Vai?

- Vai?

a)

tj=- Vai?125°C

- Vai?

510

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

35

- Vai?

mJ

tj=- Vai?125°C

- Vai?

42

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

Slēgums uz korpusu (IGBT daļa, pe)r Modulis)

- Vai?

0.04

°C/W

rθJC

Savienojums ar korpusu (dioddārzs, pa modu)(le)

- Vai?

0.09

°C/W

rθCS

(Vidēja tauku un(attiecīgi)

0.035

- Vai?

°C/W