mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1700V
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
IGBT
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
VCES |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
v |
|
VGES |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
|
IC |
Kolektors Strāvas @ TC=25oC @ TC=95oC |
683 450 |
a) |
|
ICM |
Pulsējošais kolektors |
900 |
a) |
|
PD |
Maksimālā jaudas izkliede T =175oC |
2678 |
w |
- Vai?
Dioda
- Vai?
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
v |
|
if |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde |
450 |
a) |
|
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
900 |
a) |
moduls
- Vai?
|
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
|
tjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
|
tžop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
|
tSTG |
uzglabāšanas temperatūraRažotājs |
-40 līdz +125 |
oc |
|
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
v |
- Vai?
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
- Vai? - Vai? VCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
- Vai? |
2.00 |
2.45 |
- Vai? - Vai? v |
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
- Vai? |
2.40 |
- Vai? |
|||
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
- Vai? |
2.50 |
- Vai? |
|||
|
VGE (viņš) |
Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums |
IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.4 |
6.1 |
7.4 |
v |
|
ICES |
Slēgtā daļa strāvas |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
|
IGES |
Vārsta-emiteru noplūdes strāva |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
|
RGint |
Iekšējā vārtu pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
0.3 |
- Vai? |
Ω |
|
Cies |
ies |
VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V |
- Vai? |
30.0 |
- Vai? |
MHz |
|
Cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
1.08 |
- Vai? |
MHz |
|
|
Qg |
nF |
VGE=-15...+15V |
- Vai? |
2.70 |
- Vai? |
μC |
|
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
- Vai? |
504 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
183 |
- Vai? |
ns |
|
|
Td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? |
616 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
188 |
- Vai? |
ns |
|
|
EON |
Slēpšanas pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
126 |
- Vai? |
mJ |
|
|
EOFF |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
89 |
- Vai? |
mJ |
|
|
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
- Vai? |
506 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
194 |
- Vai? |
ns |
|
|
Td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? |
704 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
352 |
- Vai? |
ns |
|
|
EON |
Slēpšanas pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
162 |
- Vai? |
mJ |
|
|
EOFF |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
124 |
- Vai? |
mJ |
|
|
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
- Vai? |
510 |
- Vai? |
ns |
|
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
198 |
- Vai? |
ns |
|
|
Td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? |
727 |
- Vai? |
ns |
|
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
429 |
- Vai? |
ns |
|
|
EON |
Slēpšanas pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
174 |
- Vai? |
mJ |
|
|
EOFF |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
132 |
- Vai? |
mJ |
|
|
- Vai? ISC |
- Vai? SC dati |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
- Vai? |
- Vai? 1440 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
- Vai? vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if= 450A,VĢEN=0V,Tj=25oc |
- Vai? |
1.87 |
2.32 |
- Vai? v |
|
if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
2.00 |
- Vai? |
|||
|
if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
2.05 |
- Vai? |
|||
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If= 450A, -di/dt=3000A/μs,VĢEN=-15V- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
107 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
519 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
75 |
- Vai? |
mJ |
|
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If= 450A, -di/dt=3000A/μs,VĢEN=-15V- Vai?tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
159 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
597 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
113 |
- Vai? |
mJ |
|
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If= 450A, -di/dt=3000A/μs,VĢEN=-15V- Vai?tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
170 |
- Vai? |
μC |
|
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
611 |
- Vai? |
a) |
|
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
119 |
- Vai? |
mJ |
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
|
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
|
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
- Vai? |
20 |
nH |
|
rCC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
- Vai? |
0.35 |
- Vai? |
mΩ |
|
rTJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar kārtu (par D)jods) |
- Vai? |
- Vai? |
0.056 0.112 |
K/W |
|
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) |
- Vai? |
0.105 0.210 0.035 |
- Vai? |
K/W |
|
m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
- Vai? |
5.0 5.0 |
N.m. |
|
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
300 |
- Vai? |
g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
