visas kategorijas

1200v

1200v

mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v

GD400SGU120C2S

IGBT modulis, 1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGU120C2S
  • ievads
ievads

īpašības

  • NPT IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

tipiska- Vai?pieteikumi

  • Slēgšanas režīma barošanas avots
  • Induktīvā sildīšana
  • elektriskās sārgmašīnas

Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

IGBT

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

IC

Kolektors Strāvas @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a)

ICM

Pulsējošais kolektors

800

a)

PD

Maksimālā jaudas izkliede  @ T =150oC

2659

w

Dioda

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

v

ja

Dioda nepārtraukta tālvadība

400

a)

ja

Dioda maksimālais tālvadības strāvas tp=1ms

800

a)

moduls

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

Tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

oC

Tjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

oC

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

oC

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

2.90

3.35

- Vai?

v

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

3.60

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=- Vai?16.0mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc

4.5

5.5

6.5

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.6

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

26.0

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

1.70

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

4.2

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=400A,- Vai?rg= 2,2Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

76

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

57

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

529

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

73

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

5.2

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

23.2

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=400A,rg= 2,2Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

81

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

62

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

567

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

81

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

9.9

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

31.7

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=125oC,VCC= 900V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

2800

- Vai?

- Vai?

a)

Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=400A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.96

2.31

v

if=400A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.98

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

24.9

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

317

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

16.0

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

35.5

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

391

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

21.4

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība"Nce, termināls uz čipu

- Vai?

0.18

- Vai?

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.047

0.100

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode)

Izmērs:(atkārtojiet)

- Vai?

0.015

0.031

0.010

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000

saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

saņemt citu

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000