mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
IGBT
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
ic |
Saldēšanas šķidrumsc=25oc @ Tc=- Vai?100oc |
630 400 |
a) |
iCM |
Pulsējošais kolektorsp=1ms |
800 |
a) |
pd |
Maksimālais jaudas izmešana @ T- Vai?=175oc |
2083 |
w |
Dioda
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
v |
if |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde |
400 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
800 |
a) |
moduls
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
tjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
tžop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
tSTG |
uzglabāšanas temperatūraRažotājs |
-40 līdz +125 |
oc |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min. |
4000 |
v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
1.70 |
2.15 |
- Vai? - Vai? v |
ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc |
- Vai? |
1.95 |
- Vai? |
|||
ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc |
- Vai? |
2.00 |
- Vai? |
|||
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums |
ic=- Vai?10.0mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt strāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V, tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
rGint |
Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
- Vai? |
- Vai? |
1.9 |
- Vai? |
Ω |
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=400A,- Vai?rg=2.0Ω, vĢEN=±15V,- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
257 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
96 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
628 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
103 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
23.5 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
34.0 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=400A,- Vai?rg=2.0Ω, vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
268 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
107 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
659 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
144 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
35.3 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
51.5 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=400A,- Vai?rg=2.0Ω, vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
278 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
118 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
680 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
155 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
38.5 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
56.7 |
- Vai? |
mJ |
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj= 150oC,VCC= 900V,- Vai?vCEM≤ 1200V |
- Vai? |
- Vai? 1600 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
- Vai? vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=400A,VĢEN=0V,Tj=25oc |
- Vai? |
1.65 |
2.10 |
- Vai? v |
if=400A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
1.65 |
- Vai? |
|||
if=400A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
1.65 |
- Vai? |
|||
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 600V,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc |
- Vai? |
38.0 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
285 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
19 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 600V,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
66.5 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
380 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
36.6 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 600V,If=400A, -di/dt=5000A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
76.0 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
399 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
41.8 |
- Vai? |
mJ |
- Vai?
- Vai?
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
- Vai? |
20 |
nH |
rCC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība"Nce, termināls uz čipu |
- Vai? |
0.35 |
- Vai? |
mΩ |
rTJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar korpusu (par Di)ode) |
- Vai? |
- Vai? |
0.072 0.095 |
K/W |
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) |
- Vai? |
0.035 0.046 0.010 |
- Vai? |
K/W |
m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
- Vai? |
5.0 5.0 |
N.m. |
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
300 |
- Vai? |
g |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.