mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1700V
īpašības
Zema Vc(= 40)- Vai?Grīdas- Vai?IGBT- Vai?tehnoloģijas
10μs- Vai?īss īssavienojuma spējasība
vc(= 40)- Vai?ar- Vai?pozitīvs- Vai?temperatūras- Vai?koeficients
Maksimālā- Vai?Junkcijas temperatūra- Vai?175oc
Zema induktivitāte- Vai?uzglabāšanas
Ātra & maiga atpakaļatgriešanās- Vai?anti-paralēlais FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
tipiska- Vai?pieteikumi
Inverteris motora vajadzībām- Vai?dRīve
AC un DC- Vai?servo- Vai?vadīt- Vai?pastiprinātājs
Neapstrādāts spēksr- Vai?piegāde
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
IGBT
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
ic |
Saldēšanas šķidrumsc=25oc @ Tc=- Vai?100oc |
396 225 |
a) |
iCM |
Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā |
450 |
a) |
pd |
Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc |
1530 |
w |
Dioda
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
v |
if |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde |
225 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
450 |
a) |
moduls
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
tjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
tžop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
tSTG |
uzglabāšanas temperatūraRažotājs |
-40 līdz +125 |
oc |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
1.85 |
2.20 |
- Vai? - Vai? v |
ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc |
- Vai? |
2.25 |
- Vai? |
|||
ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc |
- Vai? |
2.35 |
- Vai? |
|||
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums |
ic=9.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt strāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V, tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
rGint |
Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
- Vai? |
- Vai? |
2.8 |
- Vai? |
Ω |
c125 °C |
ies |
vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V |
- Vai? |
27.1 |
- Vai? |
MHz |
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
0.66 |
- Vai? |
MHz |
|
qg |
nF |
vĢEN=-- Vai?15...+15V |
- Vai? |
2.12 |
- Vai? |
μC |
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V, tj=25oc |
- Vai? |
187 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
76 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
587 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
350 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
56.1 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
52.3 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V, tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
200 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
85 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
693 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
662 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
75.9 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
80.9 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V, tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
208 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
90 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
704 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
744 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
82.8 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
87.7 |
- Vai? |
mJ |
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V |
- Vai? |
- Vai? 900 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
- Vai? vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=225A,VĢEN=0V,Tj=25oc |
- Vai? |
1.80 |
2.25 |
- Vai? v |
if=225A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc |
- Vai? |
1.90 |
- Vai? |
|||
if=225A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc |
- Vai? |
1.95 |
- Vai? |
|||
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc |
- Vai? |
63.0 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
352 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
37.4 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=125oc |
- Vai? |
107 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
394 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
71.0 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
vr= 900V,If=225A, -di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj= 150oc |
- Vai? |
121 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
385 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
- Vai? |
82.8 |
- Vai? |
mJ |
- Vai?
- Vai?
- Vai?
NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
r25 |
Nominālais pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
- Vai? |
kΩ |
ΔR/R |
Atkāpe- Vai?no- Vai?r100 |
tc=- Vai?100- Vai?oC,R100= 493,3Ω |
-5 |
- Vai? |
5 |
% |
p25 |
jauda Zudums |
- Vai? |
- Vai? |
- Vai? |
20.0 |
sv |
b25/50 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3375 |
- Vai? |
k |
b25/80 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3411 |
- Vai? |
k |
b25/100 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3433 |
- Vai? |
k |
- Vai?
- Vai?
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
20 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu |
- Vai? |
1.10 |
- Vai? |
mΩ |
rTJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar korpusu (par Di)ode) |
- Vai? |
- Vai? |
0.098 0.158 |
K/W |
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) |
- Vai? |
0.029 0.047 0.009 |
- Vai? |
K/W |
m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
- Vai? |
6.0 6.0 |
N.m. |
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
350 |
- Vai? |
g |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.