visas kategorijas

1700V

1700V

mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1700V

GD225HFX170C6S

IGBT moduļi, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX170C6S
  • ievads
ievads

īpašības

Zema Vc(= 40)- Vai?Grīdas- Vai?IGBT- Vai?tehnoloģijas

10μs- Vai?īss īssavienojuma spējasība

vc(= 40)- Vai?ar- Vai?pozitīvs- Vai?temperatūras- Vai?koeficients

Maksimālā- Vai?Junkcijas temperatūra- Vai?175oc

Zema induktivitāte- Vai?uzglabāšanas

Ātra & maiga atpakaļatgriešanās- Vai?anti-paralēlais FWD

Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

tipiska- Vai?pieteikumi

Inverteris motora vajadzībām- Vai?dRīve

AC un DC- Vai?servo- Vai?vadīt- Vai?pastiprinātājs

Neapstrādāts spēksr- Vai?piegāde

Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

IGBT

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

396

225

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

450

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

1530

w

Dioda

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

225

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

450

a)

moduls

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.85

2.20

- Vai?

- Vai?

v

ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

2.25

- Vai?

ic=225A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.35

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=9.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

2.8

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

27.1

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

0.66

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

2.12

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V,

tj=25oc

- Vai?

187

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

76

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

587

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

350

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

56.1

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

52.3

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V,

tj=- Vai?125oc

- Vai?

200

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

85

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

693

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

662

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

75.9

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

80.9

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

vCC= 900V,Ic=225A,- Vai?rGons=3,3Ω,rGoff=6.2Ω,- Vai?vĢEN=±15V,

tj=- Vai?150oc

- Vai?

208

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

90

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

704

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

744

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

82.8

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

87.7

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V

- Vai?

- Vai?

900

- Vai?

- Vai?

a)

Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=225A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

if=225A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.90

- Vai?

if=225A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.95

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If=225A,

-di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

63.0

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

352

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

37.4

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If=225A,

-di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=125oc

- Vai?

107

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

394

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

71.0

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If=225A,

-di/dt=3565A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj= 150oc

- Vai?

121

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

385

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

82.8

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

- Vai?

NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

ΔR/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=- Vai?100- Vai?oC,R100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k

- Vai?

- Vai?

moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

1.10

- Vai?

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.098

0.158

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.029

0.047

0.009

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis

3.0

3.0

- Vai?

6.0

6.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

350

- Vai?

g

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000

saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

saņemt citu

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000