mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
mazs- Vai?vCE (sat)- Vai?SPT+ IGBT tehnoloģija
10μs- Vai?īslaicīgas sakārtošanas spēja
vCE (sat)- Vai?ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Zema induktivitāte- Vai?uzglabāšanas
Ātrs un- Vai?mīksts atkalizsildīšanas pretparalels FWD
Izolēts vara baseplata, izmantojot DBC tehnoloģiju
tipiska- Vai?pieteikumi
AC inverters- Vai?Diski
Pārvietošanas režīma jauda- Vai?piegādes
Elektroniski velmētāji
Absolūtās maksimālās vērtībastc=25°C- Vai?ja vien nav citādiTeds
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
GD1600SGL120C3S |
Vienības |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
v |
ic |
@ Tc=25°C @ Tc=80°C |
2500 |
a) |
1600 |
|||
iCM(1) |
Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā |
3200 |
a) |
if |
Dioda nepārtraukta tālvadība |
1600 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums |
3200 |
a) |
pd |
Maksimālā jaudatj= 150°C |
8.3 |
kW |
tSC |
Īssavienojuma izturības laiks @ Tj=125°C |
10 |
μs |
tj |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
150 |
°C |
tSTG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz- Vai?+125 |
°C |
i2T-vērtība, diode |
vr=0V,t=10ms,Tj=125°C |
300 |
kA2s |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
uzstādīšana griezes moments |
Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M4 Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8 |
1.8 līdz- Vai?2.1 8.0 līdz- Vai?10 |
N.m. |
uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6 |
4.25 līdz- Vai?5.75 |
N.m. |
- Vai?
- Vai?
- Vai?
- Vai?
Elektriskās īpašības- Vai?IGBTtc=25°C- Vai?ja vien nav norādīts citādi
Neattīrīti
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
bv- Vai?Tips |
Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums |
tj=25°C |
1200 |
- Vai? |
- Vai? |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas |
vc=VTipsVĢEN=0V,- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde strāvas |
vĢEN=V=150 °CVc=0V,- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
Par raksturlielumiem
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
vGE (š) |
Vārda emitenta slieksnis spriegums |
ic=64mA,Vc=VĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C |
5.0 |
6.2 |
7.0 |
v |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=1600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
1.8 |
- Vai? |
- Vai? - Vai? v |
ic=1600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C |
- Vai? |
2.0 |
- Vai? |
Izmainīt raksturuiztikā
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
qĢEN |
nF |
vĢEN=-15...+15V |
- Vai? |
16.8 |
- Vai? |
μC |
td ((on) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=1600A,- Vai? rg=0.82Ω, vĢEN=±15V,Tj=25°C |
- Vai? |
225 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
105 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
1100 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
100 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi |
- Vai? |
148 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgšanas slēgšanas zudums |
- Vai? |
186 |
- Vai? |
mJ |
|
td ((on) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=1600A,- Vai? rg=0.82Ω, vĢEN=±15V,Tj=125°C |
- Vai? |
235 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
105 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
1160 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
105 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi |
- Vai? |
206 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgšanas slēgšanas zudums |
- Vai? |
239 |
- Vai? |
mJ |
|
c125 °C |
ies |
- Vai? vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V |
- Vai? |
119 |
- Vai? |
MHz |
cejs |
Izvades jauda |
- Vai? |
8.32 |
- Vai? |
MHz |
|
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
5.44 |
- Vai? |
MHz |
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai? tj=125°C- Jā, vCC= 900V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 7000 |
- Vai? |
- Vai? a) |
rGint |
Iekšējā vārsta pretestībaPretestība |
- Vai? |
- Vai? |
0.1 |
- Vai? |
Ω |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
- Vai? |
12 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE' |
Modulā "Slēpuma pretestība"nce,- Vai?termināls uz čipu |
tc=25°C |
- Vai? |
0.19 |
- Vai? |
mΩ |
- Vai?
- Vai?
- Vai?
elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
|
vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=1600A |
tj=25°C |
- Vai? |
2.1 |
- Vai? |
v |
tj=125°C |
- Vai? |
2.2 |
- Vai? |
||||
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? if=1600A, vr=600V, di/dt=-7500A/μs,- Vai?vĢEN=-15V |
tj=25°C |
- Vai? |
73 |
- Vai? |
μC |
tj=125°C |
- Vai? |
175 |
- Vai? |
||||
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
tj=25°C |
- Vai? |
510 |
- Vai? |
a) |
|
tj=125°C |
- Vai? |
790 |
- Vai? |
||||
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
tj=25°C |
- Vai? |
17 |
- Vai? |
mJ |
|
tj=125°C |
- Vai? |
46 |
- Vai? |
- Vai?
Termisko īpašību apraksts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
rθJC |
Savienojums ar korpusu (IGBT daļa, uz vienuModulis) |
- Vai? |
15 |
K/kW |
rθJC |
Junction-to-Case (diode daļa, uz M(atkārtojiet) |
- Vai? |
26 |
K/kW |
rθCS |
Korpuss uz siltuma izkliedētāju (vadītspējīga smērviela uzklāta, per Modulis) |
6 |
- Vai? |
K/kW |
svars |
Masas- Vai?moduls |
1500 |
- Vai? |
g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.