visas kategorijas

1200v

1200v

mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v

GD1600SGL120C3S

IGBT modulis, 1200V 1600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1600SGL120C3S
  • ievads
ievads

īpašības

mazs- Vai?vCE (sat)- Vai?SPT+ IGBT tehnoloģija

10μs- Vai?īslaicīgas sakārtošanas spēja

vCE (sat)- Vai?ar pozitīvu temperatūras koeficientu

Zema induktivitāte- Vai?uzglabāšanas

Ātrs un- Vai?mīksts atkalizsildīšanas pretparalels FWD

Izolēts vara baseplata, izmantojot DBC tehnoloģiju

tipiska- Vai?pieteikumi

AC inverters- Vai?Diski

Pārvietošanas režīma jauda- Vai?piegādes

Elektroniski velmētāji

Absolūtās maksimālās vērtībastc=25°C- Vai?ja vien nav citādiTeds

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

GD1600SGL120C3S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

2500

a)

1600

iCM(1)

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

3200

a)

if

Dioda nepārtraukta tālvadība

1600

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums

3200

a)

pd

Maksimālā jaudatj= 150°C

8.3

kW

tSC

Īssavienojuma izturības laiks    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz- Vai?+125

°C

i2T-vērtība, diode

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

300

kA2s

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

uzstādīšana

griezes moments

Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M4

Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8

1.8 līdz- Vai?2.1

8.0 līdz- Vai?10

N.m.

uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6

4.25 līdz- Vai?5.75

N.m.

- Vai?

- Vai?

- Vai?

- Vai?

Elektriskās īpašības- Vai?IGBTtc=25°C- Vai?ja vien nav norādīts citādi

Neattīrīti

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

bv- Vai?Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

tj=25°C

1200

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas

vc=VTipsVĢEN=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

vĢEN=V=150 °CVc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

400

no

Par raksturlielumiem

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vGE (š)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

ic=64mA,Vc=VĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=1600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

1.8

- Vai?

- Vai?

- Vai?

v

ic=1600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C

- Vai?

2.0

- Vai?

Izmainīt raksturuiztikā

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

qĢEN

nF

vĢEN=-15...+15V

- Vai?

16.8

- Vai?

μC

td ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=1600A,- Vai?

rg=0.82Ω,

vĢEN15V,Tj=25°C

- Vai?

225

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

105

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

1100

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

100

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi

- Vai?

148

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

186

- Vai?

mJ

td ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=1600A,- Vai?

rg=0.82Ω,

vĢEN15V,Tj=125°C

- Vai?

235

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

105

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

1160

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

105

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi

- Vai?

206

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

239

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

119

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

8.32

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

5.44

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tsc10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?

tj=125°C- Jā,

vCC= 900V,- Vai?vCEM- Vai?1200v

- Vai?

- Vai?

7000

- Vai?

- Vai?

a)

rGint

Iekšējā vārsta pretestībaPretestība

- Vai?

- Vai?

0.1

- Vai?

Ω

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

12

- Vai?

nH

rCC+EE'

Modulā "Slēpuma pretestība"nce,- Vai?termināls uz čipu

tc=25°C

- Vai?

0.19

- Vai?

mΩ

- Vai?

- Vai?

- Vai?

elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=1600A

tj=25°C

- Vai?

2.1

- Vai?

v

tj=125°C

- Vai?

2.2

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

if=1600A,

vr=600V,

di/dt=-7500A/μs,- Vai?vĢEN=-15V

tj=25°C

- Vai?

73

- Vai?

μC

tj=125°C

- Vai?

175

- Vai?

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

tj=25°C

- Vai?

510

- Vai?

a)

tj=125°C

- Vai?

790

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

17

- Vai?

mJ

tj=125°C

- Vai?

46

- Vai?

- Vai?

Termisko īpašību apraksts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

Savienojums ar korpusu (IGBT daļa, uz vienuModulis)

- Vai?

15

K/kW

rθJC

Junction-to-Case (diode daļa, uz M(atkārtojiet)

- Vai?

26

K/kW

rθCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(vadītspējīga smērviela uzklāta, per Modulis)

6

- Vai?

K/kW

svars

Masas- Vai?moduls

1500

- Vai?

g

- Vai?

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000

saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

saņemt citu

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000