1200v

Sīkāku informāciju

apraksts

GD1200SGL120C3S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

v

ic

Kolektors strāvas

@ Tc=25°C

@ Tc=- Vai?100°C

1900

a)

1200

iCM(1)

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

2400

a)

if

Dioda nepārtraukta tālvadība

1200

a)

iFM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunktsīrvalde

2400

a)

pd

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=- Vai?175°C

8823

w

tSC

Īssavienojuma izturības laiks    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

i2T-vērtība, diode

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

kA2s

vISO

Izolācijas spriegums RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

uzstādīšana

griezes moments

Jautājumu termināla skrūvs:M4

Jaudas termināla skrūve:M8

1.7 līdz- Vai?2.3

8.0 līdz- Vai?10

N.m.

uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6

4.25 līdz- Vai?5.75

N.m.

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

bv- Vai?Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

tj=25°C

1200

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

800

no

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

ic=48,0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

1.9

- Vai?

- Vai?

- Vai?

v

ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=- Vai?125°C

- Vai?

2.1

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rGint

iekšējais vārtu pretests

tj=25°C

- Vai?

1.2

- Vai?

Ω

qĢEN

nF

ic=- Vai?1200A,Vc=600V,- Vai?vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

12.5

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

vCC= 600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VĢEN- Vai?=- Vai?±15 V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

790

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

170

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

1350

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

180

- Vai?

ns

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VĢEN- Vai?=±15- Vai?V,- Vai?

tj=- Vai?125°C

- Vai?

850

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

170

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

1500

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

220

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi

- Vai?

155

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

190

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

92.0

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

8.40

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

6.10

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums - Vai?tj=125°C- Jā,

vCC= 900V,- Vai?vCEM≤1200v

- Vai?

- Vai?

7000

- Vai?

- Vai?

a)

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

15

- Vai?

nH

rCC+EE- Vai?'

Modula vedlejuma pretestībae,- Vai?termināls uz čipu

tc=25°C, uz kustību

- Vai?

0.10

- Vai?

mΩ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=- Vai?1200A

tj=25°C

- Vai?

1.9

- Vai?

v

tj=- Vai?125°C

- Vai?

2.1

- Vai?

qr

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

- Vai?

if=- Vai?1200A,

vr=600V,

di/dt=-6800A/μs,- Vai?vĢEN=-- Vai?15V

tj=25°C

- Vai?

110

- Vai?

μC

tj=- Vai?125°C

- Vai?

220

- Vai?

- Vai?

iRM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas

tj=25°C

- Vai?

760

- Vai?

- Vai?

a)

tj=- Vai?125°C

- Vai?

990

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

47

- Vai?

mJ

tj=- Vai?125°C

- Vai?

82

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

Slēgums uz korpusu (IGBT daļa, pe)r Modulis)

- Vai?

0.017

K/W

rθJC

Savienojums ar korpusu (dioddārzs, pa modu)(le)

- Vai?

0.025

K/W

rθCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(Pielieto konduktīva tauku,Modulis)

0.006

- Vai?

K/W

svars

svars- Vai?no- Vai?moduls

1500

- Vai?

g