mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
Tipiskas lietošanas metodes
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
GD1200HFT120C3S |
Vienības |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
v |
ic |
@ Tc=25°C @ Tc=80°C |
1800 |
a) |
1200 |
|||
iCM(1) |
Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā |
2400 |
a) |
if |
Dioda nepārtraukta tālvadība |
1200 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais priekšējais krustpunktsīrvalde |
2400 |
a) |
pd |
Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=- Vai?150°C |
5.2 |
kW |
tj |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
150 |
°C |
tSTG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
°C |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
uzstādīšana |
Sistēmas signāla termināls- Vai?Šķirbju:M4 Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8 |
1.8 līdz- Vai?2.1 8.0 līdz- Vai?10 |
- Vai? N.m. |
griezes moments |
uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6 |
4.25 līdz- Vai?5.75 |
- Vai? |
- Vai?
- Vai?
elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?IGBT- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Neattīrīti
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
v(BR)Tips |
Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums |
tj=25°C |
1200 |
- Vai? |
- Vai? |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai? tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,- Vai? tj=25°C |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
Par raksturlielumiem
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis spriegums |
ic=48māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C |
- Vai? |
1.70 |
2.15 |
- Vai? - Vai? v |
ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
2.00 |
2.45 |
Izmaiņas īpašībās
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
qg |
nF |
vĢEN=-- Vai?15...+15V |
- Vai? |
11.5 |
- Vai? |
μC |
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 600V,Ic=1200A,- Vai? rGons=2,4Ω, rGoff=0.82Ω, vĢEN=±15V,Tj=25°C |
- Vai? |
600 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
230 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
820 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
150 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi |
- Vai? |
/ |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgšanas slēgšanas zudums |
- Vai? |
/ |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? vCC= 600V,Ic=1200A,- Vai? rGons=2,4Ω, rGoff=0.82Ω, vĢEN=±15V,Tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
660 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
220 |
- Vai? |
ns |
|
td(Izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
960 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
180 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi |
- Vai? |
246 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgšanas slēgšanas zudums |
- Vai? |
191 |
- Vai? |
mJ |
|
c125 °C |
ies |
- Vai? vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V |
- Vai? |
86.1 |
- Vai? |
MHz |
cejs |
Izvades jauda |
- Vai? |
4.50 |
- Vai? |
MHz |
|
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
3.90 |
- Vai? |
MHz |
|
- Vai? iSC |
- Vai? SC dati |
tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums - Vai?tj=125°CVCC= 900V,- Vai? vCEM≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 4800 |
- Vai? |
- Vai? a) |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
- Vai? |
20 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE- Vai?' |
Modula vedlejuma pretestībae,- Vai?termināls uz čipu |
tc=25°C |
- Vai? |
0.18 |
- Vai? |
mΩ |
- Vai?
- Vai?
elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
|
vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if=- Vai?1200A |
tj=25°C |
- Vai? |
1.65 |
2.15 |
v |
tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
1.65 |
2.15 |
||||
qr |
Dioda atkārtots atgūstamās izmaksas |
- Vai? if=- Vai?1200A, vr=600V, rGons=2,4Ω, vĢEN=-- Vai?15V |
tj=25°C |
- Vai? |
69 |
- Vai? |
μC |
tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
129 |
- Vai? |
||||
- Vai? iRM |
Dioda virsmas Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas |
tj=25°C |
- Vai? |
485 |
- Vai? |
- Vai? a) |
|
tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
623 |
- Vai? |
||||
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
tj=25°C |
- Vai? |
32 |
- Vai? |
mJ |
|
tj=- Vai?125°C |
- Vai? |
60 |
- Vai? |
Termisko raksturlielumu rādītājsics
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
rθJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) |
- Vai? |
24 |
K/kW |
rθJC |
Savienojums ar korpusu (par Di)ode) |
- Vai? |
43 |
K/kW |
rθCS |
Korpuss uz siltuma izkliedētāju (Pielieto konduktīva tauku,Modulis) |
6 |
- Vai? |
K/kW |
svars |
Masas- Vai?moduls |
1500 |
- Vai? |
g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.