1200v

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

iCn

Izmantotais kolektors Cuīr

1000

a)

ic

Saldēšanas šķidrumsf=75oc

765

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

2000

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešanacijas- Vai?@tf=75oc- Jā,tj=175oc

1515

w

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

v

iFN

Izmantotais kolektors Cuīr

1000

a)

if

Dioda nepārtraukta uz priekšuīr

765

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

2000

a)

iFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva- Vai?tp=10ms  @tj=25oc- Vai?@Tj=150C

- Vai?

4100

3000

a)

i2t

i2t-vērtība,tp=10ms@Tj=25C- Vai?@Tj=150C

84000

45000

a)2s

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min.

2500

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents- Vai?Sātumapstrādes spriegums

ic=1000A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.45

1.90

- Vai?

- Vai?

v

ic=1000A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

1.65

- Vai?

ic=1000A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=175oc

- Vai?

1.80

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgtstrāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

51.5

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums- Vai?Jauda

- Vai?

0.36

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-15...+15V

- Vai?

13.6

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=25oc

- Vai?

330

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

842

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

84

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

144

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

87.8

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=125oc

- Vai?

373

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

155

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

915

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

135

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

186

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

104

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=175oc

- Vai?

390

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

172

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

950

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

162

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

209

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

114

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

iSC

- Vai?

- Vai?

SC dati

tp≤8μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

3200

- Vai?

- Vai?

a)

tp≤ 6 μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=175oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

3000

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

- Vai?

vf

Diode uz priekšu- Vai?spriegums

if=1000A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.60

2.05

- Vai?

v

if=1000A,VĢEN=0V,Tj=125oc

- Vai?

1.70

- Vai?

if=1000A,VĢEN=0V,Tj=175oc

- Vai?

1.60

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4930A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=25oc

- Vai?

91.0

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

441

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

26.3

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4440A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=125oc

- Vai?

141

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

493

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

42.5

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4160A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=175oc

- Vai?

174

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

536

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

52.4

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

kΩ

∆R/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

- Vai?

0.80

- Vai?

mΩ

- Vai?

rTJF

Savienojums- Esmu gatavs.uz- Esmu gatavs.dzesēšana- Vai?Sūknis(perIGBT) Savienojums ar dzesēšanas šķidrumu (pēc Diode)- Vai?△V/△t=10,0dm3/min- Jā,tf=75oc

- Vai?

- Vai?

0.066- Vai?0.092

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis

3.0- Vai?3.0

- Vai?

6.0- Vai?6.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

400

- Vai?

g