IGBT Discrete

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

650

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oC @ Tc=135oc

240

120

a)

iCM

pulsējošs- Vai?Kolektors- Vai?strāvas- Vai?tp- Vai?ierobežotas- Vai?ar- Vai?tjmax

360

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

893

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

650

v

if

Dioda nepārtraukta tālvadība @ Tc=25oc- Vai?@ Tc=80oc

177

120

a)

iFM

Dioda- Vai?Maksimālā- Vai?Uz priekšu- Vai?strāvas- Vai?tp- Vai?ierobežotas- Vai?ar- Vai?tjmax

360

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz +150

oc

ts

Lūdes temperatūra 1,6 mm from lietu- Vai?10s

260

oc

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents- Vai?Sātumapstrādes spriegums

ic= 120A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.40

1.85

- Vai?

- Vai?

v

ic= 120A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

1.70

- Vai?

ic= 120A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=175oc

- Vai?

1.75

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=1,92māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.1

5.8

6.5

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgtstrāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

- Vai?

250

UA

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

200

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

/

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

14.1

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums- Vai?Jauda

- Vai?

0.42

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-15- Vai?...+15V

- Vai?

0.86

- Vai?

uC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 300V,Ic= 120A,- Vai?rg=7,5Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ess=40nH- Jā,tj=25oc

- Vai?

68

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

201

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

166

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

54

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

7.19

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

2.56

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 300V,Ic= 120A,- Vai?rg=7,5Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ess=40nH- Jā,tj= 150oc

- Vai?

70

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

207

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

186

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

106

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

7.70

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

2.89

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 300V,Ic= 120A,- Vai?rg=7,5Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ess=40nH- Jā,tj=175oc

- Vai?

71

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

211

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

195

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

139

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

7.80

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

2.98

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 6 μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150- Vai?oC,VCC= 300 V,VCEM≤ 650V

- Vai?

- Vai?

600

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu- Vai?spriegums

if= 120A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.65

2.10

- Vai?

v

if= 120A,VĢEN=0V,Tj=150oc

- Vai?

1.60

- Vai?

if= 120A,VĢEN=0V,Tj=175oc

- Vai?

1.60

- Vai?

tR

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

- Vai?

vr= 300V,If= 120A,

-di/dt=450A/μs,VĢEN=-15V- Vai?Ess=40nH- Jā,tj=25oc

- Vai?

184

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

1.65

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

17.2

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

0.23

- Vai?

mJ

tR

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

- Vai?

vr= 300V,If= 120A,

-di/dt=450A/μs,VĢEN=-15V- Vai?Ess=40nH- Jā,tj= 150oc

- Vai?

221

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

3.24

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

23.1

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

0.53

- Vai?

mJ

tR

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

- Vai?

vr= 300V,If= 120A,

-di/dt=450A/μs,VĢEN=-15V- Vai?Ess=40nH- Jā,tj=175oc

- Vai?

246

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

3.98

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

26.8

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

0.64

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.168- Vai?0.369

K/W

rTJN

Savienojums ar vidi

- Vai?

40

- Vai?

K/W