MTx800 MFx800 MT800, 티리스터/다이오드 모듈, 물 냉각

물 냉각

MTx800 MFx800 MT800,스리스터/다이오드 모듈,수냉식

800A,600V~1800V,414S3

Brand:

기술 세미나

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

제품 설명서:다운로드

소개
윤곽
등가 회로 도식

소개

간략한 소개

티리스터/다이오드 모듈e, MTx800 MFx800 MT800800a,물 냉각，TECHSEM에서 생산됨.

간략한 소개

티리스터/다이오드 모듈e, MTx800 MFx800 mt800，800a,물 냉각，TECHSEM에서 생산됨.

VDRM VRRM	유형 및 개요
800V	MT3 수소수	MFx800-08-414S3
1000V	MT3 수소수	MFx800-10-414S3
1200v	MT3 수소수	MFx800-12-414S3
1400V	MT3 수소수	MFx800-14-414S3
1600V	MT3 수소수	MFx800-16-414S3
1800V	MT3 수소수	MFx800-18-414S3
1800V	MT800-18-414S3G

MTx는 모든 종류의MTC, MTA, mtk

MFx는 모든 종류의MFC, 국무외국, MFK

특징

절연 장착 베이스 3000V~
압력 접촉 기술
증가된 전력 사이클링 능력
공간 및 중량 절약

전형적인 응용 프로그램

AC/DC 모터 드라이브
다양한 정류기
PWM 역전용 전류 공급

상징	특징	시험 조건	Tj(℃)	가치			단위
상징	특징	시험 조건	Tj(℃)	분	종류	최대	단위
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180。반 시노스 파동 50Hz 단면 냉각, Tc=55°C	125			800	a
IT(RMS)	RMS 온 상태 전류	180°반 사인파 50Hz	125			1256	a
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서	125			120	엄마
ITSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 시노스 파동, VR=0V	125			16	ka
I2t	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 시노스 파동, VR=0V	125			1280	a²s* 10³
VTO	임계 전압		135			0.80	v
르티	온 상태 기울기 저항		135			0.26	mΩ
VTM	피크 온 상태 전압	ITM= 1500A	25			1.45	v
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복	125			200	A/μs
tgd	게이트 제어 지연 시간	IG= 1A 다이그/dt= 1A/μs	25			4	μs
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs, di/dt=-10A/μs	125		250		μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	엄마
Vgt	게이트 트리거 전압			0.8		3.0	v
IH	유지 전류			10		300	엄마
il	래칭 전류	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	엄마
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM	125			0.25	v
IGD	트리거 게이트 전류가 아닌 전류	VDM=67%VDRM	125			5	엄마
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	칩당 단면 냉각				0.065	℃/W
Rth(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	칩당 단면 냉각				0.020	℃/W
비소	격리 전압	50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)		3000			v
fm	단자 연결 토크(M10)			10.0		12.0	N·m
fm	장착 토크(M6)			4.5		6.0	N·m
TVj	접점 온도			-40		125	°C
TSTG	저장 온도			-40		125	°C
wt	무게				2100		g
윤곽	414S3